一种喷淋头，包括：一个第一环状件，其具有一个在其内形成的内部喷口；一个第二环状件，其被配置为围绕第一环状件，该第二环状件排布在第一环状件的外侧，使得第二环状件与第一环状件间隔开；以及一个连接构件，其用于将第一环状件和第二环状件互相连接。...

一种基底制程装置，包括：一个腔室，其具有一内部空间，在该内部中间中相对于一个基底实施一个制程；以及一个排出单元，其用于将内部空间中的物质排出到外部。所述排出单元包括：一个第一排出板，其位于物质的排出路径的上游，该第一排出板具有第一排出孔...

公开了一种基板处理装置和方法。该基板处理装置包括：提供内部空间的处理腔（１０），其中，对基板执行处理；支承件（３０），其安装在所述处理腔（１０）中，以支承所述基板；以及喷头（２０），其位于所述支承件（３０）上方，以向所述支承件（３０）提...

一种衬底处理装置包括：腔室，其限定对衬底执行处理的处理空间；第一供应部件，其被配置为向所述处理空间提供第一源气体；等离子体源，其被配置为在所述处理空间中生成电场，以从所述第一源气体生成活性基；以及第二供应部件，其位于所述第一供应部件下方...

一种基板处理设备包括：腔，其限定了生成活性基的生成空间和对基板实施处理的处理空间；第一供应件，其被设置为向该生成空间内供应第一源气体；上部等离子体源，其被设置为在该生成空间中产生电场以从第一源气体生成活性基；第二供应件，其被设置为向该处...

一种基板处理设备包括：腔，其限定了对基板实施处理的处理空间；第一供应件，其位于该处理空间上方，用于向该处理空间供应第一源气体；等离子体源，其被设置为在该处理空间内产生电场以从第一源气体生成活性基；以及第二供应件，其被设置为在该基板上方供...

本发明涉及一种用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法，所述方法在装载有基材的腔室中供给源气体，从而在基材上沉积多晶硅薄膜，其中所述源气体包含硅基气体、氮基气体和磷基气体。所述源气体中的氮基气体与硅基气体的混合比可为０．０３以下（但不包含０）。...

本发明公开了一种用于沉积具有超细晶粒的多晶硅薄膜的方法。根据本发明，通过在装载有基材的腔室内部供给源气体来在基材上沉积多晶硅薄膜，其中源气体包含硅基气体和氧基气体。氧基气体和硅基气体的混合比可为０．１５以下（不包含０）。薄膜中的氧可为２...

本发明涉及一种用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法，所述方法在装载有基材的腔室中供给源气体，从而在基材上沉积多晶硅薄膜，其中所述源气体包含硅基气体、氧基气体和磷基气体。氧基气体与硅基气体的混合比可为０．１５以下（但不包含０）。所述薄膜中的氧...

一种等离子体处理装置包括提供内部空间的腔室，在该内部空间中在对象上执行处理；以及等离子体生成单元，其在所述内部空间中产生电场，以由提供给内部空间的源气体生成等离子体。所述等离子体生成单元包括与所述腔室的上表面大致平行地设置的上部源、连接...

本发明公开了基板支撑单元、基板处理装置以及制造基板支撑单元的方法。基板支撑单元包括：基座（１２），该基座（１２）配备有用于对放置在所述基座上的基板进行加热的加热器（１５ａ，１６ｂ），并且包括第一温度区域和温度比第一温度区域高的第二温度区...

一种等离子体处理装置包括：腔，其提供了对物体进行处理的内部区域；以及等离子体源，其在所述内部区域中生成电场，由此通过所述内部区域中供应的源气体来生成等离子体，其中，所述等离子体源包括：设置在所述腔的顶部的顶源；以及侧源，其围绕所述腔的侧...

本发明提供一种化学蒸发沉积装置的喷头，它能够向半导体晶片的表面喷洒过程反应气体，以将过程反应气体在半导体晶片的表面沉积成厚度均匀的薄膜。

本发明涉及一种用于在晶片的上部淀积薄膜的化学汽相淀积设备的加热器。根据本发明，在该加热器的下部上设有由陶瓷或金属制成的热绝缘反射板，该晶片安全地布置在该加热器上。通过该热绝缘反射板保持整个加热器的温度均匀，从而在晶片的上部淀积厚度均匀的...

本发明提供了一种利用单腔体化学气相沉积在半导体基底上沉积热氧化膜的装置，该装置具有腔体，该腔体包括反应气体流入的气体流入线，用于喷射所接收到的反应气体的喷头，安装有晶片的加热器，用于支撑加热器的加热器支撑部件和用于排放反应气体的真空口。...

本发明涉及一种具有转动型加热器的化学气相沉积（ＣＶＤ）装置。具体地，本发明的ＣＶＤ装置的有益效果在于，其包括用于转动加热器的马达和用于检测加热器的指向位置的位置传感器组件，使得在沉积时沉积在晶片上的薄膜能够通过加热器的转动而形成一致的厚...

本发明涉及一种通过使用单晶片技术的化学气相沉积（ＣＶＤ）过程在单个腔室中沉积多晶硅薄膜的方法。具体而言，通过使用ＳｉＨ↓［４］（硅烷）气体作为硅源气体并将薄膜沉积压力保持在一定水平以控制细小晶粒，使多晶硅薄膜的细小晶体结构形成为柱状，以...