排出单元、使用该排出单元的排出方法以及包括该排出单元的基底制程装置制造方法及图纸

一种基底制程装置，包括：一个腔室，其具有一内部空间，在该内部中间中相对于一个基底实施一个制程；以及一个排出单元，其用于将内部空间中的物质排出到外部。所述排出单元包括：一个第一排出板，其位于物质的排出路径的上游，该第一排出板具有第一排出孔；以及一个第二排出板，其位于排出路径的下游，该第一排出板具有第二排出孔。所述第一排出板排布在一个支撑构件的外侧，而第二排出板排布在第一排出板下方，且大致平行于第一排出板。所述排出单元还包括：第一覆盖物，其用于选择性地打开和封闭所述第一排出孔；以及第二覆盖物，其用于选择性地打开和封闭所述第二排出孔。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种排出单元(exhaust unit)、一种使用该排出单元的排出方法以及一种包括该排出单元的基底制程装置(substrat印rocessing apparatus)，更具体地，涉及 一种包括排出板的排出单元、一种使用该排出单元的排出方法、以及一种包括该排出单元 的基底制程装置。
技术介绍
半导体器件具有在硅基底上的多个层。这些层通过沉积制程而沉积在基底上。所 述沉积制程具有多个重要的问题，这些问题在评价沉积膜和选择沉积方法时是很重要的。其中一个重要问题是沉积膜的质量。该质量包括成分、污染水平、缺陷密度以及机 械和电气特性。膜的成分可根据沉积条件改变，这对于获得一个特定的成分是很重要的。另一个重要问题是在晶片上的均勻厚度。具体而言，在具有一个阶梯的非平面图 案顶部处沉积的膜的厚度是非常重要的。沉积膜的厚度是否均勻可由一个阶梯覆盖率来确 定，所述阶梯覆盖率被限定为一个将沉积在阶梯部分的膜的最小厚度除以沉积在图案顶部 的膜的厚度而获得的值。另一个相关于沉积的问题是空间填充(space filling)，其包括用包括氧化膜的 绝缘膜来填充金属线之间所限定间隙的间隙填充(gapfilling)。这些间隙设置用于将金属 线物理地和电气地绝缘。在上述问题中，均勻性是与沉积制程相关的重要问题之一。非均勻膜导致在金属 线上的高电阻，而这增加了机械故障的可能性。
技术实现思路
技术问题本专利技术的一个目的是提供一种能够确保制程均勻性的排出单元、一种使用该排出 单元的排出方法、以及一种包括该排出单元的基底制程装置。根据下文对本专利技术的详细描述和附图，本专利技术的其他目的将变得更加明了。技术方案根据本专利技术的一个方面，一种基底制程装置包括一个腔室，其限定一内部空间， 在该内部空间中相对于一个基底实施一个制程；以及一个排出单元，其用于将所述内部空 间中的物质排出到外部。所述排出单元包括一个第一排出板，其位于物质的排出路径的 上游，该第一排出板具有多个第一排出孔；以及一个第二排出板，其位于所述排出路径的下 游，该第一排出板具有多个第二排出孔。优选地，所述排出单元还包括用于选择性地打开和封闭所述第一排出孔的多个第 一覆盖物，以及用于选择性地打开和封闭所述第二排出孔的多个第二覆盖物。优选地，所述基底制程装置还包括一个支撑构件，其排布在所述腔室中用于支撑所述基底。所述第一排出板排布在支撑构件的外侧，所述第二排出板排布在第一排出板下 方，大致平行于第一排出板。优选地，所述第一排出孔包括第一内侧排出孔，其布置在绕第一排出板中心的一个同心圆上；以及第一外侧排出孔，其排布在第一内侧排出孔的外侧，所述第一外侧排出 孔布置在绕第一排出板中心的另一个同心圆上；并且所述第二排出孔包括第二内侧排出 孔，其布置在绕第二排出板中心的一个同心圆上；以及第二外侧排出孔，其排布在第二内侧 排出孔的外侧，所述第二外侧排出孔布置在绕第二排出板中心的另一个同心圆上。优选地，所述基底制程装置还包括一个支撑构件，其排布在所述腔室中用于支撑 所述基底；一个气体供应单元，其用于将源气体供应至所述内部空间；以及一个线圈，其用 于在所述内部空间中感生电场，以由源气体生成等离子体。优选地，所述基底制程装置还包括一个引导管，其排布在所述支撑构件上方，用于 将在内部空间中生成的等离子体集中在所述支撑构件上。优选地，所述引导管具有的截面形状大致相应于所述基底的形状。优选地，所述腔室包括一个制程腔室，所述支撑构件排布在该制程腔室中，该制 程腔室被配置为使得所述制程在制程腔室中通过等离子体来实施；以及一个生成腔室，其 排布在制程腔室上方，该生成腔室被配置为使得等离子体通过线圈在生成腔室中生成。在 这种情况下，所述引导管从制程腔室的顶壁延伸至制程腔室的底壁。或者，所述腔室可包括一个制程腔室，所述支撑构件排布在该制程腔室中，该制 程腔室被配置为使得所述制程在制程腔室中通过等离子体来实施；以及一个生成腔室，其 从制程腔室的顶壁向上延伸，该生成腔室被配置为使得等离子体通过线圈在生成腔室中生 成。在这种情况下，所述引导管从生成腔室的侧壁延伸至制程腔室的底壁。优选地，所述基底制程装置还包括一个支撑构件，其排布在所述腔室中用于支撑 所述基底；一个气体供应单元，其用于将源气体供应至所述内部空间；一个线圈，其用于在 所述内部空间中感生电场，以由源气体生成等离子体；一个喷淋头，其排布在支撑构件上方 且平行于支撑构件，用于向放置在支撑构件上的基底供应等离子体；以及一个支撑框架，其 用于将喷淋头固定至支撑构件的顶部。优选地，所述第一排出板排布在支撑构件的外侧，以及所述支撑框架安装在第一 排出板上。根据本专利技术的另一个方面，一种排出单元包括一个第一排出板，其位于排出路径 的上游，该第一排出板具有多个第一排出孔；以及一个第二排出板，其位于排出路径的下 游，该第一排出板具有多个第二排出孔。根据本专利技术的再一个方面，一种用于将一腔室中的物质排出到外部的排出方法， 包括将具有多个第一排出孔的第一排出板安装在物质的排出路径的上游；以及将具有多 个第二排出孔的第二排出板安装在排出路径的下游。优选地，所述排出方法还包括使用第一覆盖物选择性地打开和封闭所述第一排 出孔，以及使用第二覆盖物选择性地打开和封闭所述第二排出孔。优选地，所述排出方法还包括将第一和第二排出板中的一个相对于第一和第二 排出板中的另一个旋转一个预定角度。有益效果根据本专利技术，可控制排出，由此确保制程均勻性。 附图说明附图被包括用于提供对本专利技术的进一步理解且被包含在本申请中以及组成本申请的一部分，这些附图示出了本专利技术的实施方案且与描述一起用于说明本专利技术的原理。在 附图中图1是示意性图解了根据本专利技术第一实施方案的基底制程装置的视图；图2是示意性图解了图1中的第一排出板的视图；图3和4是图解了选择性地封闭在图1中的第一排出板处形成的排出孔的视图；图5是图解了使用图1中的第一排出板和第二排出板控制制程均勻性的视图；图6是示意性图解了根据本专利技术第二实施方案的基底制程装置的视图；图7是示意性图解了根据本专利技术第三实施方案的基底制程装置的视图；图8-10是图解了图6中的喷淋头的视图；以及图11和12是图解了图1中的扩散板的视图。本专利技术的最佳实施方式在下文中，将参考附图——即，图1-12——更加详细地描述本专利技术的示例性实施 方案。本专利技术的实施方案可以用各种形式改型，因此本专利技术的范围不应被理解为受到以下 将要描述的实施方案的限制。这些实施方案被提供用于向本专利技术所属
内的普通技 术人员更清楚地描述本专利技术。因此，附图中示出的组成元件的形状可被放大以用于更清楚 的说明。同时，在下文中将描述一个使用等离子体的制程作为实施例，然而，本专利技术的技术 构思和范围并不受限于该实施例。例如，本专利技术可适用于各种其中在真空状态下实施制程 的半导体制造装置。在下文中也将描述一个感应耦合等离子体(ICP)类型的等离子体制程 作为实施例，尽管本专利技术适用于包括电子回旋共振(ECR)类型的等离子体制程的各种等离 子体制程。图1是示意性图解了根据本专利技术第一实施方案的基底制程装置的视图。该基底制程装置包括一个限定一内部空间的腔室10，在所述内部空间中相对于一 个基底实施一个制程。腔室10包括一个制程腔室12和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基底制程装置，包括：一个腔室，其具有一内部空间，在该内部空间中相对于一个基底实施一个制程；以及一个排出单元，其用于将内部空间中的物质排出到外部，其中该排出单元包括：一个第一排出板，其位于物质的排出路径的上游，该第一排出板具有多个第一排出孔；以及一个第二排出板，其位于排出路径的下游，该第一排出板具有多个第二排出孔。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2007-9-4 10-2007-0089582一种基底制程装置，包括一个腔室，其具有一内部空间，在该内部空间中相对于一个基底实施一个制程；以及一个排出单元，其用于将内部空间中的物质排出到外部，其中该排出单元包括一个第一排出板，其位于物质的排出路径的上游，该第一排出板具有多个第一排出孔；以及一个第二排出板，其位于排出路径的下游，该第一排出板具有多个第二排出孔。2.根据权利要求1所述的基底制程装置，其中所述排出单元还包括 多个第一覆盖物，其用于选择性地打开和封闭所述第一排出孔；以及 多个第二覆盖物，其用于选择性地打开和封闭所述第二排出孔。3.根据权利要求1所述的基底制程装置，还包括一个支撑构件，其排布在所述腔室中用于支撑所述基底，其中所述第一排出板排布在 支撑构件的外侧，而所述第二排出板排布在第一排出板下方，大致平行于第一排出板。4.根据权利要求1-3中任一项所述的基底制程装置，其中 所述第一排出孔包括第一内侧排出孔，其布置在绕第一排出板中心的一个同心圆上；以及 第一外侧排出孔，其排布在第一内侧排出孔的外侧，所述第一外侧排出孔布置在绕第 一排出板中心的另一个同心圆上，并且 所述第二排出孔包括第二内侧排出孔，其布置在绕第二排出板中心的一个同心圆上；以及 第二外侧排出孔，其排布在第二内侧排出孔的外侧，所述第二外侧排出孔布置在绕第 二排出板中心的另一个同心圆上。5.根据权利要求1所述的基底制程装置，还包括 一个支撑构件，其排布在所述腔室中用于支撑所述基底；一个气体供应单元，其用于将源气体供应至所述内部空间；以及一个线圈，其用于在所述内部空间中感生电场，以由所述源气体生成等离子体。6.根据权利要求5所述的基底制程装置，还包括一个引导管，其排布在所述支撑构件上方，用于将在内部空间中生成的等离子体集中 在所述支撑构件上。7.根据权利要求6所述的基底制程装置，其中所述引导管具有的截面形状大致相应于 基底的形状。8.根据权利要求5-7中任一项所述的基底制程装置，其中所述腔室包括一个制程腔室，所述支撑构件排布在该制程腔室中，该制程腔室被配置为使得所述制 程在制程腔室中通过等离子体来实施；以及一个生成腔室，其排布在制程腔室上方，该生成腔室被配置为使得等离子体通过线圈 在该生成腔室中生成，所述引导管从制程腔室的顶壁延伸至制程腔室的底壁。9.根据权利要求5-7中任一项所述的基底...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹松根，宋炳奎，李在镐，金劲勋，
申请(专利权)人：株式会社EUGENE科技，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]