【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种排出单元(exhaust unit)、一种使用该排出单元的排出方法以及一种包括该排出单元的基底制程装置(substrat印rocessing apparatus)，更具体地，涉及 一种包括排出板的排出单元、一种使用该排出单元的排出方法、以及一种包括该排出单元 的基底制程装置。
技术介绍
半导体器件具有在硅基底上的多个层。这些层通过沉积制程而沉积在基底上。所 述沉积制程具有多个重要的问题，这些问题在评价沉积膜和选择沉积方法时是很重要的。其中一个重要问题是沉积膜的质量。该质量包括成分、污染水平、缺陷密度以及机 械和电气特性。膜的成分可根据沉积条件改变，这对于获得一个特定的成分是很重要的。另一个重要问题是在晶片上的均勻厚度。具体而言，在具有一个阶梯的非平面图 案顶部处沉积的膜的厚度是非常重要的。沉积膜的厚度是否均勻可由一个阶梯覆盖率来确 定，所述阶梯覆盖率被限定为一个将沉积在阶梯部分的膜的最小厚度除以沉积在图案顶部 的膜的厚度而获得的值。另一个相关于沉积的问题是空间填充(space filling)，其包括用包括氧化膜的 绝缘膜来填充金属线之间所限定...
【技术保护点】
一种基底制程装置，包括：一个腔室，其具有一内部空间，在该内部空间中相对于一个基底实施一个制程；以及一个排出单元，其用于将内部空间中的物质排出到外部，其中该排出单元包括：一个第一排出板，其位于物质的排出路径的上游，该第一排出板具有多个第一排出孔；以及一个第二排出板，其位于排出路径的下游，该第一排出板具有多个第二排出孔。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2007-9-4 10-2007-0089582一种基底制程装置，包括一个腔室，其具有一内部空间，在该内部空间中相对于一个基底实施一个制程；以及一个排出单元，其用于将内部空间中的物质排出到外部，其中该排出单元包括一个第一排出板，其位于物质的排出路径的上游，该第一排出板具有多个第一排出孔；以及一个第二排出板，其位于排出路径的下游，该第一排出板具有多个第二排出孔。2.根据权利要求1所述的基底制程装置，其中所述排出单元还包括 多个第一覆盖物，其用于选择性地打开和封闭所述第一排出孔；以及 多个第二覆盖物，其用于选择性地打开和封闭所述第二排出孔。3.根据权利要求1所述的基底制程装置，还包括一个支撑构件，其排布在所述腔室中用于支撑所述基底，其中所述第一排出板排布在 支撑构件的外侧，而所述第二排出板排布在第一排出板下方，大致平行于第一排出板。4.根据权利要求1-3中任一项所述的基底制程装置，其中 所述第一排出孔包括第一内侧排出孔，其布置在绕第一排出板中心的一个同心圆上；以及 第一外侧排出孔，其排布在第一内侧排出孔的外侧，所述第一外侧排出孔布置在绕第 一排出板中心的另一个同心圆上，并且 所述第二排出孔包括第二内侧排出孔，其布置在绕第二排出板中心的一个同心圆上；以及 第二外侧排出孔，其排布在第二内侧排出孔的外侧，所述第二外侧排出孔布置在绕第 二排出板中心的另一个同心圆上。5.根据权利要求1所述的基底制程装置，还包括 一个支撑构件，其排布在所述腔室中用于支撑所述基底；一个气体供应单元，其用于将源气体供应至所述内部空间；以及一个线圈，其用于在所述内部空间中感生电场，以由所述源气体生成等离子体。6.根据权利要求5所述的基底制程装置，还包括一个引导管，其排布在所述支撑构件上方，用于将在内部空间中生成的等离子体集中 在所述支撑构件上。7.根据权利要求6所述的基底制程装置，其中所述引导管具有的截面形状大致相应于 基底的形状。8.根据权利要求5-7中任一项所述的基底制程装置，其中所述腔室包括一个制程腔室，所述支撑构件排布在该制程腔室中，该制程腔室被配置为使得所述制 程在制程腔室中通过等离子体来实施；以及一个生成腔室，其排布在制程腔室上方，该生成腔室被配置为使得等离子体通过线圈 在该生成腔室中生成，所述引导管从制程腔室的顶壁延伸至制程腔室的底壁。9.根据权利要求5-7中任一项所述的基底...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹松根，宋炳奎，李在镐，金劲勋，
申请(专利权)人：株式会社EUGENE科技，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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