还原低温基底上的薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了还原低温基底上的薄膜的方法，具体地涉及在基底上制造导电薄膜的方法，所述方法包括：将还原剂和金属氧化物沉积在薄膜上；和使所述薄膜在环境气氛中暴露于单脉冲电磁发射，以使所述还原剂首先与所述金属氧化物通过氧化还原反应进行化学反应形成金属粒子，随后烧结所述金属粒子，从而使所述薄膜导电。

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请号为200980150327.4、申请日为2009年3月25日、发明名称为“还原低温基底上的薄膜的方法”的专利申请的分案申请。本申请是2007年5月24日提交的名为“金属纳米材料复合物的电用途、镀覆用途和催化用途(Electrical,Plating and Catalytic Uses of Metal Nanomaterial Composition)”的美国系列号No.11/720,171的部分继续申请案，其经此引用并入本文。相关申请本申请与2008年10月17日提交的名为“使低温基底上的薄膜高速反应的方法和装置(Method and Apparatus for Reacting Thin Films on Low Temperature Substrates at High Speeds)”的美国系列号No.61/196,531相关，其经此引用并入本文。
概括而言，本专利技术涉及固化法，特别涉及还原低温基底上的薄膜的方法。
技术介绍
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【技术保护点】
在基底上制造导电薄膜的方法，所述方法包括：将还原剂和金属氧化物沉积在薄膜上；和使所述薄膜在环境气氛中暴露于单脉冲电磁发射，以使所述还原剂首先与所述金属氧化物通过氧化还原反应进行化学反应形成金属粒子，随后烧结所述金属粒子，从而使所述薄膜导电。

【技术特征摘要】
2008.10.17 US 61/196,5311.在基底上制造导电薄膜的方法，所述方法包括：
将还原剂和金属氧化物沉积在薄膜上；和
使所述薄膜在环境气氛中暴露于单脉冲电磁发射，以使所述还原剂首
先与所述金属氧化物通过氧化还原反应进行化学反应形成金属粒子，随后
烧结所述金属粒子，从而使所述薄膜导电。
2.权利要求1的方法，其中所述基底是纸。
3.权利要求1的方法，其中所述基底是PET。
4.权利要求1的方法，其中所述基底是聚合物。
5.权利要求1的方法，其中所述首先的氧化还原反应和所述随后的烧
结在所述单脉冲电磁发射中进行。
6.权利要求1的方法，其中所述单脉冲电磁发射是由激光器、闪光灯、
定向等离子弧灯、...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·S·波普，K·A·施罗德，I·M·罗森，
申请(专利权)人：NCC纳诺责任有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US