基板支撑单元、基板处理装置及制造基板支撑单元的方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了基板支撑单元、基板处理装置以及制造基板支撑单元的方法。基板支撑单元包括：基座（１２），该基座（１２）配备有用于对放置在所述基座上的基板进行加热的加热器（１５ａ，１６ｂ），并且包括第一温度区域和温度比第一温度区域高的第二温度区域；以及散热件（２０），该散热件（２０）包括与第二温度区域热接触的接触表面（２１）。散热件（２０）还包括与第一温度区域相对应的开口（２３）。散热件（２０）形成为环形，其中所述开口（２３）被所述接触表面（２１）围绕，并且所述散热件（２０）的所述接触表面（２１）与所述基座（１２）的下表面热接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，更具体地 涉及一种使基板的温度分布均勻的基板支撑单元和基板处理装置，以及制造这种基板支撑 单元的方法。
技术介绍
一般来说，半导体制造方法包括晶片的沉积工艺或者晶片的蚀刻工艺。在这样的 工艺中，在晶片被放置在陶瓷或金属制成的基座上的条件下，通过电阻加热器或灯式加热 器对晶片进行加热直到500°C 700°C。在这样的情况下，为了获得工艺均勻性，需要均勻地调整晶片上的温度分布，为 此，基座的温度需要均勻化。
技术实现思路
因此，鉴于以上问题作出了本专利技术，并且本专利技术的目标在于提供一种对晶片上的 温度分布进行均勻调节的基板支撑单元和基板处理装置，以及制造这种基板支撑单元的方 法。本专利技术的另一目标在于提供一种对基座上的温度分布进行均勻调节的基板支撑 单元和基板处理装置，以及制造这种基板支撑单元的方法。根据本专利技术的一个方面，上述及其他目标可以通过提供这样的基板支撑单元来实 现，所述基板支撑单元包括基座，该基座配备有用于对放置在该基座上的基板进行加热的 加热器，并且包括第一温度区域和温度比第一温度区域高的第二温度区域；以及散热件，该 散热件包括与第二温度区域热接触的接触表面。所述散热件还可以包括与第一温度区域相对应的开口。所述散热件可以形成为环 形，其中所述开口被所述接触表面围绕，并且所述散热件的所述接触表面可以与所述基座 的下表面进行热接触。所述开口可以被所述环形接触表面围绕，并且包括第一开口部分，其形成为具有 第一半径的扇形；以及第二开口部分，其形成为具有不同于第一半径的第二半径的扇形。所 述开口还可以包括设置在第一开口部分与第二开口部分之间并且连接第一开口部分和第 二开口部分的中间开口部分。所述基座可以包括中心区、边缘区和设置在所述中心区与所述边缘区之间的中间 区；并且所述开口可以被设置为对应于所述中心区，并且所述接触表面被设置为对应于所 述中间区。所述加热器可以包括第一加热器，其用于加热所述基板的中心部分；以及围绕 第一加热器的第二加热器，其用于加热所述基板的边缘部分。所述散热件可以由从陶瓷、A1N、Ni和Inconel构成的组中选择的一种来制成。所述基板支撑单元还可以包括反射件，该反射件被设置为与所述基座的一个表面近似平行，以将从所述基座发出的热朝向所述基座反射。所述基座还可以包括温度比第二温度区域低的第三温度区域；和温度比第三温 度区域高的第四温度区域；并且所述反射件可以通过热反射来加热第三温度区域。所述反射件可以形成为盘形，并且包括形成为具有第一半径的扇形的第一反射 件部分；和形成为具有第二半径的扇形的第二反射件部分，其中第二半径不同于第一半径。本专利技术的另一方面提供了一种基板处理装置，该基板处理装置包括提供对基板 进行处理的内部空间的腔室；设置在所述腔室中用于支撑所述基板的基板支撑单元；以 及喷头，其用于向所述基板支撑单元所支撑的所述基板的上表面供应处理气体(process gas)，其中所述基板支撑单元包括基座，该基座配备有用于对放置在所述基座上的基板进 行加热的加热器，并且包括第一温度区域和温度比第一温度区域高的第二温度区域；以及 散热件，该散热件包括与第二温度区域热接触的接触表面以及与第一温度区域相对应的开 口 ；以及反射件，该反射件被设置为与所述基座的一个表面近似平行，以将所述基座发出的 热朝向所述基座反射；并且所述开口被所述环形接触表面围绕；并且所述开口包括第一 开口部分，其形成为具有第一半径的扇形；以及第二开口部分，其形成为具有不同于第一半 径的第二半径的扇形。本专利技术的再一个方面提供了 一种制造基板支撑单元的方法，所述基板支撑单元配 备有基座，基板放置在所述基座上，所述方法包括以下步骤在包括第一温度区域和温度比 第一温度区域高的第二温度区域的所述基座的一侧安装散热件，使得所述散热件与第二温 度区域热接触，以便散发第二温度区域的热。所述方法还可以包括以下步骤形成穿过所述散热件与第一温度区域相对应的开 口，以防止第一温度区域和所述散热件之间的热接触。所述散热件可以形成为环形，其中与第一温度区域相对应的所述开口被与第二温度 区域相对应的接触表面围绕；并且所述开口的形成可以包括形成具有第一半径的扇形的第一 开口部分；以及形成具有第二半径的扇形的第二开口部分，其中第二半径不同于第一半径。所述基座可以包括中心区、边缘区和设置在所述中心区和所述边缘区之间的中间 区；并且所述散热件的安装可以包括设置与第一温度区域相对应的开口，使之对应于所 述中心区，并且设置与第二温度区域热接触的接触表面，使之对应于所述中间区。所述方法还可以包括以下步骤设置与所述基座的一个表面近似平行的反射件， 以将所述基座发出的热朝向所述基座反射。所述基座还可以包括温度比第二温度区域低的第三温度区域和温度比第三温度 区域高的第四温度区域；并且所述反射件的所述设置可以包括对形成为具有预定半径的 盘形的所述反射件进行处理，以形成具有第一半径的扇形的第一反射件部分，其中第一半 径小于所述预定半径；以及对所述反射件进行处理，以形成具有第二半径的扇形的第二反 射件部分，其中第二半径小于所述预定半径且不同于第一半径。根据本专利技术，晶片上的温度分布被均勻地调整。另外，基座上的温度分布被均勻地调整。附图说明通过以下结合附图进行的详细描述将更清楚地理解本专利技术的以上和其他目标、特征和其他益处，在附图中图1是示意性图示根据本专利技术一个实施方式的基板处理装置的图；图2和图3是图示图1的散热件的图；图4是示意性图示根据本专利技术另一个实施方式的基板处理装置的图；图5和图6是图示图4的反射件的图；而图7是图示图4的散热件和反射件的图。具体实施例方式现在将参照图1到图7详细描述本专利技术的优选实施方式。应该意识到，本专利技术的 这些实施方式可以按各种方式修改，并且本专利技术的范围并不受下面将描述的实施方式的限 制。对实施方式的描述仅仅是为了本领域技术人员更好地理解本专利技术而作出的。因此，附 图中示出的各个部件的形状可以为了更清楚地解释而被夸大。尽管在之后将示例性地描述沉积装置(exposition apparatus)，但是本专利技术适用 于各种基板处理装置，每种基板处理装置均配备有基板支撑单元。此外，尽管在之后将示例 性地描述晶片(W)，但是本专利技术适用于各种要处理的物体。图1是示意性图示根据本专利技术一个实施方式的基板处理装置100的图。基板处理 装置100用于沉积膜，并且包括圆柱形的腔室11。腔室11中设置有呈盘形用来水平地支撑 晶片(W)的基座12，该基座由支撑件13支撑。基座12由陶瓷，例如A1A、A1N等制成。基 座12的周缘上设置有用于引导晶片(W)的引导环14。加热器15a和15b安装在基座12内。第一加热器15a主要加热基座12的中心部 分，而第二加热器15b主要加热基座12的边缘部分。加热器15a和15b包括线圈型加热器 或图案加热器(pattern heater)，并且对加热器15a和15b的供电是独立进行的，因此加热 器15a和15b的加热温度是独立受控的。晶片(W)被加热器15a和15b加热到指定温度。 基座12包括热耦(未示出)，并且所述热耦感测基座12的温度，以便能够控制基座12的温 度。腔室11的顶上安装有喷头30。喷头30将来自供气线路3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板支撑单元，该基板支撑单元包括：基座，其配备有用于对放置在该基座上的基板进行加热的加热器，并且包括第一温度区域和温度比第一温度区域高的第二温度区域；以及散热件，其包括与第二温度区域热接触的接触表面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东根，朱庆镇，诸成泰，梁日光，
申请(专利权)人：株式会社EUGENE科技，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]