喷淋头、包括该喷淋头的基底制程装置以及使用该喷淋头的等离子体供应方法制造方法及图纸

一种喷淋头，包括：一个第一环状件，其具有一个在其内形成的内部喷口；一个第二环状件，其被配置为围绕第一环状件，该第二环状件排布在第一环状件的外侧，使得第二环状件与第一环状件间隔开；以及一个连接构件，其用于将第一环状件和第二环状件互相连接。一个外部喷口在第一环状件和第二环状件之间形成。该喷淋头还包括：一个第三环状件，其排布于在第一环状件内形成的内部喷口中；以及一个第四环状件，其排布于在第一环状件和第二环状件之间形成的外部喷口中。该第三环状件具有一个在其内形成的最内部的喷口，且该第四环状件具有一个在其外侧形成的最外部的喷口。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种喷淋头(showerhead)、一种包括该喷淋头的基底制程装置以及一种使用该喷淋头的等离子体供应方法，更具体地，涉及一种具有一第一环状件和一第二环 状件的喷淋头、一种包括该喷淋头的基底制程装置以及一种使用该喷淋头的等离子体供应 方法。
技术介绍
半导体器件具有在硅基底上的多个层。这些层通过沉积制程而沉积在基底上。所 述沉积制程具有多个重要的问题，这些问题在评价沉积膜和选择沉积方法时是很重要的。其中一个重要问题是沉积膜的质量。该质量包括成分、污染水平、缺陷密度以及机 械和电气特性。膜的成分可根据沉积条件改变，这对于获得一个特定的成分是很重要的。另一个重要问题是在晶片上的均勻厚度。具体而言，在具有一个阶梯的非平面图 案顶部处沉积的膜的厚度是非常重要的。沉积膜的厚度是否均勻可由一个阶梯覆盖率来确 定，所述阶梯覆盖率被限定为一个将沉积在阶梯部分的膜的最小厚度除以沉积在图案顶部 的膜的厚度而获得的值。另一个相关于沉积的问题是空间填充(space filling)，其包括用包括氧化膜的 绝缘膜来填充金属线之间所限定间隙的间隙填充(gapfilling)。这些间隙设置用于将金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种喷淋头，包括：一个第一环状件，其具有一个在其内形成的内部喷口；一个第二环状件，其被配置为围绕第一环状件，该第二环状件排布在第一环状件的外侧，使得第二环状件与第一环状件间隔开；以及一个连接构件，其用于将第一环状件和第二环状件互相连接，其中一个外部喷口在第一环状件和第二环状件之间形成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2007-9-4 10-2007-0089586一种喷淋头，包括一个第一环状件，其具有一个在其内形成的内部喷口；一个第二环状件，其被配置为围绕第一环状件，该第二环状件排布在第一环状件的外侧，使得第二环状件与第一环状件间隔开；以及一个连接构件，其用于将第一环状件和第二环状件互相连接，其中一个外部喷口在第一环状件和第二环状件之间形成。2.根据权利要求1所述的喷淋头，还包括一个第三环状件，其排布于在第一环状件内形成的内部喷口中，使得第三环状件与第 一环状件间隔开，其中第三环状件具有一个在其内形成的最内部的喷口。3.根据权利要求2所述的喷淋头，其中所述第三环状件经由所述连接构件连接至第一 和第二环状件。4.根据权利要求3所述的喷淋头，其中所述第三环状件与所述连接构件是可分离的。5.根据权利要求1所述的喷淋头，还包括一个第四环状件，其排布于在第一环状件和第二环状件之间形成的外部喷口中，使得 该第四环状件与第一环状件和第二环状件间隔开，其中该第四环状件具有一个在其外侧形成的最外部的喷口。6.根据权利要求5所述的喷淋头，其中所述第四环状件经由所述连接构件连接至第一 和第二环状件。7.根据权利要求6所述的喷淋头，其中所述第四环状件与所述连接构件是可分离的。8.根据权利要求1所述的喷淋头，还包括一个盘状的中心板，其与第一环状件具有相同的中心。9.根据权利要求8所述的喷淋头，其中所述连接构件包括多个从中心板沿径向方向向外延伸的连接杆，且所述连接杆绕中心 板的中心以等角间隔布置。10.一种基底制程装置，包括一个腔室，其具有一内部空间，在该内部空间中相对于一个基底实施一个制程；一个支撑构件，其排布在腔室中用于支撑基底；以及一个喷淋头，其排布在支撑构件上方且平行于支撑构件，用于向放置在支撑构件上的 基底供应等离子体，该喷淋头包括一个第一环状件，其具有一个在其内形成的内部喷口 ；一个第二环状件，其被配置为围绕第一环状件，该第二环状件排布在第一环状件的外 侧，使得第二环状件与第一环状件间隔开；以及一个连接构件，其用于将第一环状件和第二环状件互相连接，其中一个外部喷口在第 一环状件和第二环状件之间形成。11.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹松根，宋炳奎，李在镐，金劲勳，
申请(专利权)人：株式会社EUGENE科技，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]