化学蒸发沉积装置喷头制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种化学蒸发沉积装置的喷头，它能够向半导体晶片的表面喷洒过程反应气体，以将过程反应气体在半导体晶片的表面沉积成厚度均匀的薄膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种化学蒸发沉积装置的喷头，该装置能够在半导体晶片的表面上喷洒过程反应气体(下文中称为反应气体)，以使该反应气体能够在半导体晶片的表面沉积形成厚度均匀的薄膜。
技术介绍
如图1所示，它是传统的化学蒸发沉积装置1的截面图，该化学蒸发沉积装置1包括有内腔11的腔体10，以使喷头40和加热器50安装在其中；形成在一侧的进气口21，于是反应气体从外部流入；腔体顶部(chamber lead)20，其同腔体10的顶面通过紧固部件相组合以密封腔体10；片板30，其在腔体顶部20的底面提供以形成一个低温区，片板上的多个通孔31对接收到的反应气体进行分流；大量的喷孔41，用以将分流后的反应气体喷散到晶片60的表面；喷头40，沿其外部圆周形成有大量紧固孔42，以利用腔体顶部20紧固；以及加热器50，其顶面安装有晶片60，而其底面提供有加热器支架51，在内腔11内提供的加热器50按预定的距离同喷头40分离。利用化学蒸发沉积装置1的薄膜沉积应用于在制造半导体装置和LCD基片时在晶片的表面上加工材料膜的领域，具体地说，制造有导电性的接线装置，沉积氧化膜或氮化物膜来绝缘利用化学品的传导材料膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学蒸发沉积装置的喷头，包括：一个有内腔的腔体，以使喷头和加热器安装在其中；形成在一侧的进气口，于是反应气体从外部流入；腔体顶部，其同腔体的顶面通过紧固部件相组合以密封腔体；片板，其在腔体顶部的底面提供以形成一个低温区，片板上的多个通孔对接收到的反应气体进行分流；大量喷孔，用以将分流后的反应气体喷散到晶片的表面上；喷头，沿其外部圆周形成有大量的紧固孔，以利用腔体顶部紧固；加热器，其顶面安装有晶片，而其底面提供有加热器支架，在内腔内提供的加热器按预定的距离同喷头分离 ，其中，在喷头的顶面中心形成大量的主孔，彼此之间等距分离；大量的副孔同主孔等距分离以同主孔交叉；在喷头的底面中心...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：严坪镕，
申请(专利权)人：株式会社EUGENE科技，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]