基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种基板处理装置；更详细地说，涉及一种利用等离子体的基板处理装置。根据本发明专利技术一实施例的基板处理装置包括：腔室、支撑单元、电介质组件以及等离子体源。本发明专利技术的基板处理装置通过采用非金属加热器，能够使施加于上部天线的RF耦合效应最小化；并且能够考虑到天线的形状，而对加热区域进行个别的体现，从而具有能够使天线下部的发热部位和其它区域的温度梯度相适应的极佳的效果。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本专利技术涉及一种基板处理装置。更详细地说，涉及一种利用等离子体的基板处理装置。
技术介绍
等离子体发生装置包括有用于薄膜沉积的等离子体装置(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)、蚀刻沉积的薄膜而进行构图的蚀刻装置、溅射装置(Sputter)、灰化(Ashing)装置等。并且，这种等离子体装置根据RF电源的施加方式可分为：电容耦合型(CapacitivelyCoupledPlasma，CCP)装置和电感耦合型(InductivelyCoupledPlasma，ICP)装置。电容耦合型装置是利用对相互对向的平行板和电极施加RF电源时在电极之间垂直形成的RF电场而发生等离子体的方式。而电感耦合型装置是利用由天线诱导出的感应电场而将源物质转变成等离子体的方式。现有的电感耦合型装置的天线是以线圈的形状提供。因此很难对提供至天线下部的支撑板的整体进行均匀地控制，使其呈高温。并且，由于与天线发生干涉，加热部件只能提供至支撑板的侧面，因此很难全面并均匀的控制支撑板的温度。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种基板处理装置，包括：腔室，其内部具有上面开放的处理空间，支撑单元，其配置于所述腔室内，用于支撑基板，电介质组件，其配置于所述腔室的开放的上面，并覆盖所述开放的上面，以及等离子体源，其位于所述电介质组件的上侧，并具有由供给至所述腔室内的气体产生等离子体的天线；其中，所述电解质组件包括：电介质窗；以及加热单元，其由非金属材质构成，配置于电介质窗的上部面，用于对所述电介质窗进行加热。

【技术特征摘要】
2013.10.31 KR 10-2013-0131346;2013.12.30 KR 10-2011.一种基板处理装置，包括：腔室，其内部具有上面开放的处理空间，支撑单元，其配置于所述腔室内，用于支撑基板，电介质组件，其配置于所述腔室的开放的上面，并覆盖所述开放的上面，以及等离子体源，其位于所述电介质组件的上侧，并具有由供给至所述腔室内的气体产生等离子体的天线；其中，所述电介质组件包括：电介质窗；以及加热单元，其由非金属材质构成，配置于电介质窗的上部面，用于对所述电介质窗进...

【专利技术属性】
技术研发人员：金炯俊，金承奎，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR