【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种等离子体处理腔室，其中，包括：一腔体；基台，其设置于腔体下方，基片放置于所述基台表面；设置于所述基台内部的若干冷却气体通道，其中通有冷却气体，所述冷却气体通道在所述基台和基片之间设置有一个喷气孔，所述冷却气体能够通过喷气孔将冷却气体喷向基片背面；若干升举顶针，其可移动地设置于基台内部，能够向上顶起基片，静电夹盘，位于所述基台的上部，其最上层设置有一绝缘层，在所述绝缘层中设置有一电极，其中，所述电极分别连接有一直流电源和一交流电源。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杜若昕，梁洁，王洪青，刘志强，苏兴才，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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