【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子，具体涉及一种电子装置。
技术介绍
1、目前，毫米波封装中天线(millimeter wave aip)作为5g通信技术的重要组成部分，通常要求具有较宽的频宽，而且要求具有双宽带(双频)的天线特性，例如同时工作在28/39ghz。目前，双宽度的毫米波封装中天线的带宽通常要求大于5ghz，这对于天线设计来说是极具挑战性的。
2、现有技术中常见的增加频宽方式是通过天线搭配频率选择面技术(fss tech)来实现的，且一般为单宽带特性。为了满足多宽带的需求，就需要将不同频率的天线并排设置。参考图1和图2，示出了天线与其对应频率选择表面的周期性结构配置，不同频率的天线并排设置且上方分别设置有对应的单频fss(频率选择表面)结构，例如并排设置的低频天线50和高频天线51的上方分别对应设置有低频fss结构52和高频fss结构53。但是，这种方式增大了天线模组在水平方向上的宽度，并且高频部分和低频部分会相互干扰，例如低频fss结构52会干扰高频天线51的电磁波，高频fss结构53会干扰低频天线50的电磁波。
3、目前，也出现了双频fss技术，可以用来实现双宽带的天线。但是，目前常用的双频fss技术能够实现的带宽有限，难以满足带宽大于5ghz的要求。
技术实现思路
1、本申请提出了一种电子装置。
2、第一方面，本申请提供一种电子装置，包括第一天线及多频带频率选择结构；所述多频带频率选择结构设置在所述第一天线上方，用于与所述第一天线进行电耦合；其中，
3、在一些可选的实施方式中，所述第二多频带选择单元的低频部分的间距大于所述第一多频带选择单元的低频部分的间距。
4、在一些可选的实施方式中，所述第二多频带选择单元的面积大于所述第一多频带选择单元的面积。
5、在一些可选的实施方式中，所述第二多频带选择单元的高频部分的宽度大于所述第一多频带选择单元的高频部分的宽度。
6、在一些可选的实施方式中，所述第二多频带选择单元的低频部分的宽度大于所述第一多频带选择单元的低频部分的宽度。
7、在一些可选的实施方式中，所述第一多频带选择单元与所述第二多频带选择单元在垂直方向上相邻。
8、在一些可选的实施方式中，所述低频部分环绕所述高频部分。
9、在一些可选的实施方式中，所述低频部分与所述高频部分为大小不同的且带有缺口的环形。
10、在一些可选的实施方式中，所述第一多频带选择单元的低频部分的间距大于所述第一多频带选择单元的高频部分的间距。
11、在一些可选的实施方式中，所述第二多频带选择单元的低频部分的间距大于所述第二多频带选择单元的高频部分的间距。
12、在一些可选的实施方式中，还包括第一基板及第二基板；所述第一基板承载所述第一天线及所述第一多频带选择单元，所述第二基板承载所述第二多频带选择单元。
13、在一些可选的实施方式中，所述第二多频带选择单元埋设于所述第二基板的内部或者形成于所述第二基板的表面。
14、在一些可选的实施方式中，还包括连接件；所述第一基板与所述第二基板之间通过所述连接件进行连接。
15、在一些可选的实施方式中，还包括第一空气隙；所述第一空气隙设置于所述第一基板与所述第二基板之间。
16、在一些可选的实施方式中，所述第一基板包括核心层。
17、在一些可选的实施方式中，所述第一基板的相反于所述第一基板的底表面上还设有焊球，所述焊球被配置成连接外部的装置。
18、在一些可选的实施方式中，所述第一基板的底表面上设置有电子元件。
19、在一些可选的实施方式中，所述多频带频率选择结构还包括第三多频带选择单元及第三基板；所述第三基板承载所述第三多频带选择单元，所述第三多频带选择单元设置于所述第二多频带选择单元的上方。
20、在一些可选的实施方式中，所述第三基板通过所述连接件与所述第二基板连接。
21、在一些可选的实施方式中，还包括第二空气隙；所述第二空气隙设置于所述第二基板与所述第三基板之间。
22、在一些可选的实施方式中，所述多频带频率选择结构还具有设置于侧表面的第四多频带选择单元。
23、为解决现有的天线技术难以同时满足多频率与高带宽需求的问题，本申请提出了一种电子装置，通过采用由层叠设置的多层多频带选择单元而构成的多频带频率选择结构，其设置在第一天线上方，以实现增加频宽的效果。进一步的，多频带频率选择结构中，第二多频带选择单元设置于第一多频带选择单元的上方，通过调整第二多频带选择单元的高频部分的尺寸，使第二多频带选择单元的高频部分的间距小于第一多频带选择单元的高频部分的间距，从而提升高频部分的耦合量，进一步增加了频宽。
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1.一种电子装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第二多频带选择单元的低频部分的间距大于所述第一多频带选择单元的低频部分的间距。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第二多频带选择单元的面积大于所述第一多频带选择单元的面积。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第二多频带选择单元的高频部分的宽度大于所述第一多频带选择单元的高频部分的宽度。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述低频部分环绕所述高频部分。
6.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，所述低频部分与所述高频部分为大小不同的且带有缺口的环形。
7.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述第一多频带选择单元的低频部分的间距大于所述第一多频带选择单元的高频部分的间距，所述第二多频带选择单元的低频部分的间距大于所述第二多频带选择单元的高频部分的间距。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括第一基板及第二基板；所述第一基板承载所述第一天线及所述第
9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，还包括第一空气隙；所述第一空气隙设置于所述第一基板与所述第二基板之间。
10.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，所述多频带频率选择结构还包括第三多频带选择单元及第三基板；所述第三基板承载所述第三多频带选择单元，所述第三多频带选择单元设置于所述第二多频带选择单元的上方。
...【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第二多频带选择单元的低频部分的间距大于所述第一多频带选择单元的低频部分的间距。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第二多频带选择单元的面积大于所述第一多频带选择单元的面积。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第二多频带选择单元的高频部分的宽度大于所述第一多频带选择单元的高频部分的宽度。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述低频部分环绕所述高频部分。
6.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，所述低频部分与所述高频部分为大小不同的且带有缺口的环形。
7.根据权利要求6所述的电子装置，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：何承谕，黄鸿升，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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