【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种电子装置，且尤其涉及一种包含电感器的电子装置。
技术介绍
1、在常规的电子装置中，电感器通过氧化硅层安置在衬底之上。干膜可形成于氧化硅层上以覆盖电感器。在涉及多个热操作循环的制造工艺和/或可靠性测试期间，干膜和氧化硅层之间的cte失配会引发在干膜中产生裂纹。因此，需要新的电子装置。
技术实现思路
1、在一些实施例中，一种电子装置包含第一介电层、电子元件、包封物和第二介电层。所述第一介电层具有第一热膨胀系数(cte)。所述电子元件安置在所述第一介电层之上。所述包封物包封所述电子元件且具有第二cte。所述第二介电层安置在所述包封物之上且具有第三cte。所述第二cte在所述第一cte和所述第三cte之间的范围内。
2、在一些实施例中，一种电子装置包含基底、第一介电层、电感器和第二介电层。所述第一介电层安置在所述基底之上。所述电感器安置在所述第一介电层之上。所述第二介电层包封所述电感器。所述第二介电层被配置成减轻所述第一介电层的破裂。
3、在一些实施例中，一种封装结构包含第一电子单元、第一包封物和第二电子单元。所述第一包封物包封所述第一电子单元。所述第二电子单元包含无源组件和包封所述无源组件的第二包封物。所述第一包封物具有与所述第二包封物的材料相同的材料。
【技术保护点】
1.一种电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括：
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述包封物包括在所述电子元件周围的填充物。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其中所述填充物的部分与所述电子元件重叠。
5.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述包封物包括填充物，且所述填充物的部分具有与所述基底的侧表面基本上对准的表面。
6.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述包封物包括填充物，所述填充物中的至少一者具有与所述第一介电层的外部侧面基本上对准的侧表面。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述电子元件包括电感器。
8.根据权利要求7所述的电子装置，其中所述电子元件包括：
9.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括：
10.根据权利要求9所述的电子装置，其中所述导电层具有在所述导电柱之上的凹槽。
11.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括：
12.根据权利要求11所述的电子装置，其中所述填充物中的至少一者具有
13.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括：
14.一种电子装置，其包括：
15.根据权利要求14所述的电子装置，其中所述第二介电层被配置成减小在所述第二介电层、所述第一介电层和所述电感器之间产生的热应力。
16.根据权利要求14所述的电子装置，其中所述第二介电层的模量大于所述第一介电层的模量。
17.一种电子装置，其包括：
18.根据权利要求17所述的电子装置，其中所述第二包封物包括模制原料。
19.根据权利要求17所述的电子装置，其进一步包括：
20.根据权利要求19所述的电子装置，其进一步包括：
...【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括：
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述包封物包括在所述电子元件周围的填充物。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其中所述填充物的部分与所述电子元件重叠。
5.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述包封物包括填充物，且所述填充物的部分具有与所述基底的侧表面基本上对准的表面。
6.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述包封物包括填充物，所述填充物中的至少一者具有与所述第一介电层的外部侧面基本上对准的侧表面。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述电子元件包括电感器。
8.根据权利要求7所述的电子装置，其中所述电子元件包括：
9.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括：
10.根据权利要求9所述的电子装置，其中所述导电层具...
【专利技术属性】
技术研发人员：张简千琳，戴渊竣，张简聿心，李秋雯，李长祺，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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