【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，更具体地，涉及一种封装结构。
技术介绍
1、参考图1所示，现行的3d堆叠结构中，较常利用中介层10来连接上基板22和下基板24，且中介层10的焊盘30(例如铜焊盘)上具有焊球40，以电连接上基板22和下基板24。其中，当上基板22和下基板24之间的i/o(输入/输出)数增加时，中介层10可采用环形(ringshape)设计，即中介层10可以沿着上基板22和/或下基板24的边缘形成环形，以提供足够的i/o数。在3d堆叠后，一般会再进行模封(molding)制程来形成模封层50，以保护芯片60以及增加封装结构的可靠性。然而，在采用环形中介层10的情况下，模流仅能透过焊球40之间的间隙流入上基板22、下基板24与中介层10间的夹层内。
2、如图2a至图2c所示，常见中介层10是采用smd(solder mask defined，阻焊层限定)设计，即其中采用阻焊层14用于限定暴露焊盘30的开口，如图2a所示。并利用助焊剂(flux)80在smd结构的焊盘30上执行焊球40的植球制程。如图2b所示，将焊球40放置于焊盘30上方的助焊剂80上。然后执行回流焊以将焊球40与焊盘30接合。阻焊层14会覆盖焊盘30的边缘以对焊球40进行限位，但这导致焊球40与焊盘30的接触面积较小。再参考图1，阻焊层14的厚度还将使上基板22、下基板24与中介层10之间的间隙更小、模流难进入，因此会阻碍模流分布与均匀性，模封层50中易有空隙(void)情况发生。阻焊层14的厚度还会导致中介层10的厚度略厚，不利于封装结构薄化。>
技术实现思路
1、针对以上问题，本申请提出一种封装结构，至少能够降低中介层的厚度，并且能够增加焊球与焊盘的接触面积。
2、本申请的技术方案是这样实现的：
3、根据本申请的一个方面，提供了一种封装结构，封装结构包括：第一基板；以及中介层，连接于第一基板，并且包括面向第一基板的第一表面和设置于第一表面处的焊盘，焊盘具有中间区域和周缘区域，周缘区域和中间区域通过导电件连接第一基板，其中，周缘区域和中间区域分别具有相对于第一表面的高度，周缘区域的高度高于至少一部分的中间区域的高度。
4、在一些实施例中，封装结构还包括封装体，封装体设置于第一基板与中介层之间，并且与周缘区域的外侧面接触。
5、在一些实施例中，中介层与焊盘定义一阶梯以容置封装体的填料。
6、在一些实施例中，焊盘具有一凹陷。
7、在一些实施例中，焊盘的周缘区域具有面对凹陷的斜面。
8、在一些实施例中，中间区域具有曲面。
9、在一些实施例中，周缘区域具有内侧面、外侧面以及连接内侧面与外侧面的上表面，其中，导电件接触周缘区域的内侧面、外侧面以及上表面。
10、在一些实施例中，焊盘还具有延伸区域，延伸区域在周缘区域的远离中间区域的一侧与周缘区域相邻，其中，延伸区域与周缘区域定义一阶梯。
11、在一些实施例中，封装结构还包括：阻焊层，设置于焊盘外侧；封装体，封装体设置于第一基板与中介层之间，其中，封装体延伸至阻焊层与焊盘之间。
12、在一些实施例中，封装结构还包括封装体，封装体设置于第一基板与中介层之间，其中，中介层的第一表面、周缘区域的外侧面的下部和导电件定义一空间以容置封装体的填料。
13、上述技术方案的有益效果包括：降低了中介层的厚度，进而可以降低封装结构的厚度。焊盘可用于定位导电件，还可以与导电件具有更大的接触面积，进而可增加导电件与焊盘间的连接可靠性。通过采用没有阻焊层的设计，可以增加形成封装体的模流空间并减少对模流的阻碍，从而能够降低模流未填满风险，解决了形成的封装体可能存在空隙的问题。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：林家祺，余忠儒，李志成，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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