【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能电池，尤其涉及一种太阳能电池片、电池组件和光伏系统。
技术介绍
1、在相关技术中，光伏电池组件通常由多个电池片组成的电池阵列组成，为了有效的控制热斑风险，太阳能电池片通常采用低漏电特性+旁路旁路二极管的设计，通过降低电池片的漏电流，从而控制漏电点的发热功率。
2、然而，在这样的技术方案中，为了遏制热斑失效风险，需要将电池片的漏电流控制在一个较小的值，其对漏电流的管控要求较高。然而，这对于光伏行业制造能力来说是一个难以克服的问题，在制造太阳能电池片的过程中，引入的任何一个缺陷都可能会导致漏电流超过管控值，从而导致抗热斑风险的能力较差，其制造能力较低。
3、因此，如何开发一种新的制造能力更高的抗热斑技术，从而提高电池片的抗热斑风险的能力成为了技术人员研究的技术问题。
技术实现思路
1、本申请提供一种太阳能电池片、电池组件和光伏系统，旨在解决如何提高太阳能电池片的制造能力并且提高电池片的抗热斑风险的能力的技术问题。
2、本申请是这样实现的，本申请实施例的太阳能电池片包括：
3、硅片；
4、层叠设置在所述硅片上的第一掺杂层；和
5、层叠设置在所述硅片上的第二掺杂层，所述第二掺杂层与所述第一掺层的极性相反，所述第二掺杂层在预设位置处与所述第一掺杂层复合接触形成漏电复合接触结构，在所述太阳能电池片两端所施加的反向电压为17v或小于17v的情况下，所述漏电复合接触结构的单位长度的漏电流大于impp/s /n，
6、更进一步地，n小于或者等于3.45cm/cm2。
7、更进一步地，n小于或者等于2.59cm/cm2。
8、更进一步地，在所述太阳能电池片两端所施加的反向电压为9v的情况下，所述漏电复合接触结构的单位长度的漏电流大于impp/s /n。
9、更进一步地，在所述太阳能电池片两端所施加的反向电压为6v的情况下，所述漏电复合接触结构的单位长度的漏电流大于impp/s /n。
10、更进一步地，所述太阳能电池片为双面太阳能电池片，所述硅片具有相对的第一表面和第二表面，所述第一掺杂层层叠设置在所述第一表面上，所述第二掺杂层层叠设置在所述第二表面上，所述第二掺杂层与所述第一掺杂层在所述硅片的边缘的预设位置处形成复合接触，从而形成所述漏电复合接触结构。
11、更进一步地，所述太阳能电池片为背接触太阳能电池片，所述硅片具有相对的正面和背面，所述背面上层叠设置有若干所述第一掺杂层和若干所述第二掺杂层，若干所述第一掺杂层和若干所述第二掺杂层依次交替间隔排列，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层之间具有间隔区，在所述间隔区的预设位置处，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层复合接触以形成所述漏电复合接触结构。
12、本申请还提供一种电池组件，所述电池组件包括上述任一项所述的太阳能电池片。
13、更进一步地，所述电池组件包括若干电池串，所述电池串包括若干串联的所述太阳能电池片，所述电池串两端并联有旁路二极管；
14、被遮挡的所述太阳能电池片两端的反向偏压<d*voc*（m-1）+l：
15、其中，所述反向偏压为在所述太阳能电池片被遮挡，且被遮挡的所述太阳能电池片的漏电流达到最大功率点电流时，所述被遮挡的太阳能电池片两端的电压；voc为所述太阳能电池片的开路电压，m为与所述旁路二极管并联的电池串中所述太阳能电池片的片数，d为小于1的常数，l为所述旁路二极管的启动电压。
16、更进一步地，所述电池组件包括若干电池串，所述电池串包括若干串联的所述太阳能电池片；
17、被遮挡的所述太阳能电池片两端反向偏压<d*voc*（p-1）；
18、其中，所述反向偏压为在所述太阳能电池片被遮挡，且被遮挡的所述太阳能电池片的漏电流达到最大功率点电流时，所述被遮挡的太阳能电池片两端的电压；voc为所述太阳能电池片的开路电压，p为与被遮挡的所述太阳能电池片串联的所述太阳能电池片的数量，d为小于1的常数。
19、更进一步地，d的取值范围为0.1-0.5。
20、更进一步地，在所述太阳能电池片被遮挡时，所述太阳能电池片中的单个所述漏电复合接触结构的发热功率小于8.85w。
21、更进一步地，所述太阳能电池片中的所述漏电复合接触结构的数量s满足以下条件：
22、s>（impp*vimpp）/8.85w；
23、其中，impp为所述太阳能电池片的最大功率点电流，vimpp为在所述太阳能电池片被遮挡，且被遮挡的所述太阳能电池片的漏电流达到最大功率点电流时，所述被遮挡的太阳能电池片两端的反向偏压，s为正整数。
24、更进一步地，在所述太阳能电池片被遮挡时，在所述太阳能电池片中，在任何一个4cm*4cm的正方形范围内，所述太阳能电池片的漏电流i漏满足以下条件：
25、i漏<8.85w/vimpp；
26、其中，i漏为位于4cm*4cm的正方形范围内的所有所述漏电复合接触结构的漏电流之和，vimpp为在所述太阳能电池片被遮挡，且被遮挡的所述太阳能电池片的漏电流达到最大功率点电流时，所述被遮挡的太阳能电池片两端的反向偏压。
27、更进一步地，在所述太阳能电池片被遮挡时，在所述太阳能电池片中，在任何一个4cm*4cm的正方形范围内，所述太阳能电池片的漏电流i漏满足以下条件：
28、i漏<4.54w/vimpp；
29、其中，i漏为位于所述正方形范围内的所有所述漏电复合接触结构的漏电流之和，vimpp为在所述太阳能电池片被遮挡，且被遮挡的所述太阳能电池片的漏电流达到最大功率点电流时，所述被遮挡的太阳能电池片两端的反向偏压。
30、更进一步地，在所述太阳能电池片被遮挡时，在所述太阳能电池片中，在任何一个4cm*4cm的正方形范围内，所述太阳能电池片的漏电流i漏满足以下条件：
31、i漏<2.26w/vimpp；
32、其中，i漏为位于所述正方形范围内的所有所述漏电复合接触结构的漏电流之和，vimpp为在所述太阳能电池片被遮挡，且被遮挡的所述太阳能电池片的漏电流达到最大功率点电流时，所述被遮挡的太阳能电池片两端的反向偏压。
33、更进一步地，在所述太阳能电池片中，相邻两个所述漏电复合接触结构之间的间距大于或者等于4cm。
34、本申请还提供一种光伏系统，所述光伏系统包括上述的电池组件。
35、在本申请实施例的太阳能电池片、电池组件和光伏系统中，通过在预设位置引入两者不同极性的掺杂层所形成的漏电复合接触结构，并且对该漏电复合接触结构的单位长度的漏电流进行合理本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，N小于或者等于3.45cm/cm2。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，N小于或者等于2.59cm/cm2。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，在所述太阳能电池片两端所施加的反向电压为9V的情况下，所述漏电复合接触结构的单位长度的漏电流大于Impp/S /N。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，在所述太阳能电池片两端所施加的反向电压为6V的情况下，所述漏电复合接触结构的单位长度的漏电流大于Impp/S /N。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片为双面太阳能电池片，所述硅片具有相对的第一表面和第二表面，所述第一掺杂层层叠设置在所述第一表面上，所述第二掺杂层层叠设置在所述第二表面上，所述第二掺杂层与所述第一掺杂层在所述硅片的边缘的预设位置处形成复合接触，从而形成所述漏电复合接触结构。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能
8.一种电池组件，其特征在于，包括若干权利要求1-7任一项所述的太阳能电池片。
9.根据权利要求8所述的电池组件，其特征在于，所述电池组件包括若干电池串，所述电池串包括若干串联的所述太阳能电池片，所述电池串两端并联有旁路二极管；
10.根据权利要求8所述的电池组件，其特征在于，所述电池组件包括若干电池串，所述电池串包括若干串联的所述太阳能电池片；
11.根据权利要求9或10中所述的电池组件，其特征在于，D的取值范围为0.1-0.5。
12.根据权利要求8所述的电池组件，其特征在于，在所述太阳能电池片被遮挡时，所述太阳能电池片中的单个所述漏电复合接触结构的发热功率小于8.85W。
13.根据权利要求8所述的电池组件，其特征在于，所述太阳能电池片中的所述漏电复合接触结构的数量S满足以下条件：
14.根据权利要求8所述的电池组件，其特征在于，在所述太阳能电池片被遮挡时，在所述太阳能电池片中，在任何一个4cm*4cm的正方形范围内，所述太阳能电池片的漏电流I漏满足以下条件：
15.根据权利要求14所述的电池组件，其特征在于，在所述太阳能电池片被遮挡时，在所述太阳能电池片中，在任何一个4cm*4cm的正方形范围内，所述太阳能电池片的漏电流I漏满足以下条件：
16.根据权利要求15所述的电池组件，其特征在于，在所述太阳能电池片被遮挡时，在所述太阳能电池片中，在任何一个4cm*4cm的正方形范围内，所述太阳能电池片的漏电流I漏满足以下条件：
17.根据权利要求8所述的电池组件，其特征在于，在所述太阳能电池片中，相邻两个所述漏电复合接触结构之间的间距大于或者等于4cm。
18.一种光伏系统，其特征在于，包括权利要求8-17中任一项所述的电池组件。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，n小于或者等于3.45cm/cm2。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，n小于或者等于2.59cm/cm2。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，在所述太阳能电池片两端所施加的反向电压为9v的情况下，所述漏电复合接触结构的单位长度的漏电流大于impp/s /n。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，在所述太阳能电池片两端所施加的反向电压为6v的情况下，所述漏电复合接触结构的单位长度的漏电流大于impp/s /n。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片为双面太阳能电池片，所述硅片具有相对的第一表面和第二表面，所述第一掺杂层层叠设置在所述第一表面上，所述第二掺杂层层叠设置在所述第二表面上，所述第二掺杂层与所述第一掺杂层在所述硅片的边缘的预设位置处形成复合接触，从而形成所述漏电复合接触结构。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片为背接触太阳能电池片，所述硅片具有相对的正面和背面，所述背面上层叠设置有若干所述第一掺杂层和若干所述第二掺杂层，若干所述第一掺杂层和若干所述第二掺杂层依次交替间隔排列，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层之间具有间隔区，在所述间隔区的预设位置处，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层复合接触以形成所述漏电复合接触结构。
8.一种电池组件，其特征在于，包括若干权利要求1-7任一项所述的太阳能电池片。
9.根据权利要求8所述的电池组件，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘瑞珉，王永谦，刘生璞，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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