一种PERC电池高性能背钝化结构制造技术

本技术公开了一种PERC电池高性能背钝化结构，包括在硅衬底背面依次沉积的氧化铝层、氧化亚铜层、氧化硅层和复合氮化硅层。采用本技术的PERC电池高性能背钝化结构，通过设置氧化亚铜层，提高电池对光的利用率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池，特别涉及一种perc电池高性能背钝化结构。

技术介绍

1、钝化发射极背场点接触(perc)太阳能电池由于成本低、转换效率高等优点，迅速成为现今太阳能电池中的主流产品，perc技术利用al2o3、sio2等钝化膜对电池的背面进行钝化，降低表面载流子的复合速率，提高少数载流子寿命，从而减小硅片内部和表面存在的杂质及缺陷对光伏电池的性能造成的负面影响。

2、目前普遍应用的perc太阳能电池背面钝化结构为al2o3/sinx双层结构，但是，由于sinx薄膜的正电荷量较高，会影响带负电荷的al2o3薄膜的钝化效果，同时al2o3薄膜和sinx薄膜存在较大的能级差异，影响电池的光电转换效率。

技术实现思路

1、本技术所要解决的技术问题在于，提供一种perc电池高性能背钝化结构，通过设置氧化亚铜层，提高电池对光的利用率。

2、为了解决上述技术问题，本技术提供了一种perc电池高性能背钝化结构，包括在硅衬底背面依次沉积的氧化铝层、氧化亚铜层、氧化硅层和复合氮化硅层。

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【技术保护点】

1.一种PERC电池高性能背钝化结构，其特征在于，包括在硅衬底背面依次沉积的氧化铝层、氧化亚铜层、氧化硅层和复合氮化硅层。

2.如权利要求1所述的PERC电池高性能背钝化结构，其特征在于，所述复合氮化硅层由内向外依次包括第一氮化硅层、第二氮化硅层和第三氮化硅层。

3.如权利要求2所述的PERC电池高性能背钝化结构，其特征在于，所述第一氮化硅层的厚度为20-40nm，所述第二氮化硅层的厚度为30-60nm，所述第三氮化硅层的厚度为40-70nm。

4.如权利要求2所述的PERC电池高性能背钝化结构，其特征在于，所述第一氮化硅层的折射率为2.18-2.22...

【技术特征摘要】

1.一种perc电池高性能背钝化结构，其特征在于，包括在硅衬底背面依次沉积的氧化铝层、氧化亚铜层、氧化硅层和复合氮化硅层。

2.如权利要求1所述的perc电池高性能背钝化结构，其特征在于，所述复合氮化硅层由内向外依次包括第一氮化硅层、第二氮化硅层和第三氮化硅层。

3.如权利要求2所述的perc电池高性能背钝化结构，其特征在于，所述第一氮化硅层的厚度为20-40nm，所述第二氮化硅层的厚度为30-60nm，所述第三氮化硅层的厚度为40-70nm。

4.如权利要求2所述的perc电池高性能背钝化结构，其特征在于，所述第一氮化硅层的折射率为2.18-2.22，所述第二氮化硅层的折射率为2.14-2...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙洪全，吕闯，张笛，庞瑞卿，顾生刚，时宝，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：