掩模图案的形成方法以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术具有如下工序：第一图案形成工序(S13)，通过将由光致抗蚀剂膜构成的第一线部作为掩模对反射防止膜进行蚀刻来形成包括第二线部的图案；照射工序(S14)，对光致抗蚀剂膜照射电子；氧化硅膜成膜工序(S15)，形成氧化硅膜；回蚀工序(S16)，对氧化硅膜进行回蚀，使其作为第二线部的侧壁部残留；以及第二图案形成工序(S18)，通过对上述第二线部进行灰化来形成包括由氧化硅膜构成的、作为侧壁部而残留的第三线部的掩模图案。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
随着半导体装置的高集成化，制造エ艺中所要求的布线、分离带区域的尺寸倾向于微细化。通过光刻技术形成由光致抗蚀剂膜(以下称为“抗蚀剂膜”)构成的线部(Line)以规定的间隔排列而成的图案，将形成的图案用作掩模图案对被蚀刻膜进行蚀刻，由此形成这种微细的图案。关于最近的半导体装置的微细化，甚至要求尺寸为超过光刻技术的分辨率极限。 作为具有超过光刻技术的分辨率极限的尺寸的微细的掩膜图案的形成方法，存在一种所谓的双图案形成法。在双图案形成法中，分两个阶段形成图案，即第一图案形成エ序和在该第一图案形成エ序之后进行的第二图案形成エ序。关于双图案形成法，通过该以两个阶段形成图案来形成与用一次形成图案的方式形成掩模图案时相比具有更微细的线宽和空间宽度(space width)的掩模图案。另外，还已知如下ー种方法作为双图案形成法之一通过将在作为芯材的线部的两侧形成的侧壁部作为掩模进行使用的SWP(Side Wall Patterning :侧壁图案形成)法，来形成与包括作为芯材的原始线部的图案相比具有更微细的排列间隔的掩膜图案。关于该方法，首先形成抗蚀剂膜并形成线部排列而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：八重樫英民，五十岚义树，成重和树，武川贵仁，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：
国别省市：