III-V族半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例涉及制造半导体结构的方法，并且涉及通过这类方法构成的半导体结构。在一些实施例中，这些方法可用于制造诸如InGaN的III-V族材料的半导体结构。通过使用多组不同的生长条件生长多个子层来制造半导体层，以提高所得层的均一性，提高所得层的表面粗糙度，和/或使所述层能够生长达到经增大的厚度，而应力弛豫并没有开始。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例总体上涉及III-V族半导体结构和形成III-V族半导体结构的方法。
技术介绍
可在诸如(例如)开关结构(例如，晶体管等)、发光结构(例如，激光二极管、发光二极管等)、光接收结构(例如，波导、分束器、混合器、光电ニ极管、太阳能电池、太阳能子电池等)和/或微机电系统结构(例如，加速度计、压カ传感器等)的众多电子器件结构中采用诸如(例如)III-神化物(例如，神化铟镓(InGaAs) )、III-磷化物(例如，磷化铟镓(InGaP))和III-氮化物(例如，氮化铟镓(InGaN))的III-V族半导体材料。可将这种含有III-V族半导体材料的电子器件结构用于广泛的应用中。例如，通常使用这种器件结构产生各种波长中的一种或多种波长下的辐射(例如，可见光)。通过这种结构发射的光不仅可用于照明应用，而且还可用于(例如)介质存储和取回应用、印刷应用、光谱应用、生物试剂检测应用和图像投影应用。作为非限制性示例，针对InGaN (III-氮化物材料)的情況，InGaN层可通过异质外延生长法沉积在下层(underlying)衬底上,该衬底可具有与上层(overlying) InGaN本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃德·林多，尚塔尔·艾尔纳，R·贝尔特拉姆，兰詹·达塔，苏巴实·马哈詹，
申请(专利权)人：索泰克公司，亚利桑那董事会代表亚利桑那大学，
类型：
国别省市：