大面积卷对卷柔性衬底表面喷射裂解硒源用装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种大面积卷对卷柔性衬底表面喷射裂解硒源用装置，包括硒源蒸发室和真空腔室内的衬底，其特点是：所述硒源蒸发室的蒸气出口通过管路连接有高温裂解室；所述高温裂解室腔体内壁上固装有两层及以上布满孔径小于0.5mm的多孔栅板。本实用新型专利技术采用将硒蒸气高温穿过两层多孔栅板，由Sen（n≥5）大原子团裂解为Sen（n<5）小原子团，增加了高活性Se2的数量，提高了硒元素的反应活性，有效改善了铜铟镓硒薄膜太阳电池CIGS层的成膜质量，对提高铜铟镓硒薄膜太阳电池的光电转换效率起到积极作用；通过喷孔把小原子团的硒蒸气直接喷射到衬底表面，使硒材料充分参与CIGS层的反应成膜过程，从而提高硒材料利用率。?（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于铜铟镓硒薄膜太阳电池
，尤其是涉及一种大面积卷对卷柔性衬底表面喷射裂解硒源用装置。
技术介绍
铜铟镓硒薄膜太阳电池是目前最有发展潜力的薄膜太阳电池之一，具有高转换效率、无光致衰退、抗辐射性能好、低成本、适合卷对卷工艺大规模生产等优点，其典型结构为金属背电极Mo层、吸收层CIGS层、缓冲层CdS、窗口层高阻i :ZnO、低阻ZnO:Al、MgF2减反射膜和Ni-Al栅电极，其中吸收层CIGS层的制备是铜铟镓硒薄膜太阳电池的核心技术。多元共蒸发法是制备CIGS层最广泛和最成功的方法。多元共蒸发法制备CIGS层，是由铜、铟、镓、硒各元素以气态形式在衬底处反应化合形成Cu(InxGah) Se2的多晶材料，其中硒元素在CIGS层的形成过程中非常关键。在CIGS层制备过程中，固态硒材料被放入蒸发舟中，通过加热蒸发方法产生硒蒸气，以气态形式弥散于真空腔室，这种方式的优点是无毒、廉价。但硒蒸气压难以控制，而且气态硒常以Sen (η >5)大原子团形式存在，反应活性较差，易造成硒元素化合反应不充分，引起铟和镓元素的损失，降低材料利用率的同时导致CIGS薄膜成份偏离理想的化学计本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张颖武，赵彦民，乔在祥，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十八研究所，
类型：实用新型
国别省市：