一种发光二极管显示基板及其制作方法、显示器技术

一种发光二极管显示基板及其制作方法、显示器。该发光二极管显示基板包括衬底基板、设置在衬底基板上的发光二极管以及自组装单分子层。该发光二极管包括石墨烯层，且石墨烯层设置在发光二极管靠近衬底基板的一侧；自组装单分子层设置在石墨烯层与衬底基板之间且与石墨烯层连接。该发光二极管显示基板一方面利用了石墨烯与氮化镓晶格匹配的特点有助于氮化镓在转移基板上长晶，而且石墨烯是导电材料，硬度和柔韧性都比较好，既可以做基底，又可以做电极，还可以作为媒介进行卷对卷载体转移工艺；另一方面采用自组装单分子层与石墨烯层以化学键形式连接，从而增加了发光二极管与衬底基板的连接强度。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管显示基板及其制作方法、显示器
本专利技术至少一个实施例涉及一种发光二极管显示基板及其制作方法、显示器。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)是一种能发光的半导体电子元件，具有体积小、亮度高、能耗小的特点，被广泛的应用于显示屏，背光源、照明等显示领域。微型发光二极管(MicroLED)具有驱动电压低、省电、亮度高等特点，因此在显示技术中的潜力非常巨大。
技术实现思路
本专利技术的至少一实施例提供一种发光二极管显示基板及其制作方法、显示器。该发光二极管显示基板一方面利用了石墨烯与氮化镓晶格匹配的特点有助于氮化镓在转移基板上长晶，而且石墨烯是导电材料，硬度和柔韧性都比较好，既可以做基底，又可以做电极，还可以作为媒介进行卷对卷载体转移工艺；另一方面采用自组装单分子层(self-assemblymonolayer)与石墨烯层以化学键形式连接，从而增加了发光二极管与衬底基板的连接强度。本专利技术的至少一实施例提供一种发光二极管显示基板，该发光二极管显示基板包括衬底基板、设置在衬底基板上的发光二极管以及设置在发光二极管与衬底基板之间的自组装单分子层。该发光二极管包括石墨烯层，且石墨烯层设置在发光二极管靠近衬底基板的一侧；自组装单分子层设置在石墨烯层与衬底基板之间且与石墨烯层连接。例如，在本专利技术的一个实施例中，自组装单分子层包括至少一种有机分子，有机分子的两端分别包括叠氮官能团与氨基官能团，且叠氮官能团与石墨烯层中的石墨烯分子以化学键形式相连。例如，在本专利技术的一个实施例中，有机分子包括4-重氮基-2,3,5,6-四氟苯甲酸乙胺。例如，在本专利技术的一个实施例中，该发光二极管显示基板还包括：有机膜层，设置在自组装单分子层与衬底基板之间，且与自组装单分子层中的氨基官能团通过氢键连接。例如，在本专利技术的一个实施例中，发光二极管还包括设置在石墨烯层上的半导体层以及设置在半导体层上的导电层。例如，在本专利技术的一个实施例中，该发光二极管显示基板还包括：保护层，设置在导电层的部分上表面。例如，在本专利技术的一个实施例中，石墨烯层包括在沿平行于衬底基板的第一方向延伸超过半导体层的突出部分，且保护层设置在半导体层的侧面并连接到石墨烯层的突出部分。例如，在本专利技术的一个实施例中，该发光二极管显示基板还包括：薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括漏极，该漏极与石墨烯层电连接。例如，在本专利技术的一个实施例中，发光二极管的尺寸为1微米-100微米。本专利技术的至少一实施例提供一种发光二极管显示基板的制作方法，该发光二极管显示基板的制作方法，包括：在转移基板上形成石墨烯层；在石墨烯层上形成半导体层以及导电层以形成发光二极管；在衬底基板上形成自组装单分子层；将发光二极管从转移基板上转移到自组装单分子层上，并使石墨烯层连接到自组装单分子层。例如，在本专利技术的一个实施例中，自组装单分子层包括至少一种有机分子，有机分子的两端分别包括叠氮官能团与氨基官能团。例如，在本专利技术的一个实施例中，将发光二极管从转移基板上转移之前包括：在导电层的部分上表面形成保护层。例如，在本专利技术的一个实施例中，石墨烯层包括在沿平行于转移基板的第一方向延伸超过半导体层的突出部分，将发光二极管从转移基板上转移之前还包括：在半导体层的侧面以及石墨烯层的突出部分形成保护层。例如，在本专利技术的一个实施例中，将发光二极管从转移基板上转移到自组装单分子层上包括：采用转印装置吸附保护层，将发光二极管从转移基板上取走并转移到自组装单分子层上，并对自组装单分子层加热以使叠氮官能团与石墨烯层的石墨烯分子以化学键形式相连。例如，在本专利技术的一个实施例中，在衬底基板上形成自组装单分子层包括：在衬底基板上形成有机膜层，对有机膜层的表面进行处理，并在有机膜层上形成自组装单分子层以使自组装单分子层中的氨基官能团通过氢键与有机膜层连接。例如，在本专利技术的一个实施例中，采用卷对卷工艺将发光二极管转移到自组装单分子层上。本专利技术的至少一实施例提供一种显示器，该显示器包括上述任一种发光二极管显示基板。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制。图1为本专利技术一实施例提供的发光二极管显示基板示意图；图2a为本专利技术一实施例提供的自组装单分子层的分子式示意图；图2b为图2a示出的自组装单分子层的分子式的成键机理示意图；图3为本专利技术一实施例提供的发光二极管显示基板的制作方法的具体步骤示意图；图4a-图4d为本专利技术一实施例提供的形成发光二极管的流程示意图；图5为本专利技术一实施例提供的薄膜晶体管背板(TFTBP)示意图；图6a-图6b为本专利技术一实施例提供的对形成的发光二极管进行转移的过程示意图；图7为本专利技术一实施例提供的将发光二极管转移至衬底基板上的示意图；图8为本专利技术一实施例提供的采用卷对卷(roll-to-roll)工艺将发光二极管转移到自组装单分子层上的示意图。附图标记：100-衬底基板；101-自组装单分子层；102-有机膜层；103-第一保护层；104-第二保护层；1034-保护层；105-接触电极；106-钝化层；107-公共电极；108-封装层；109-过孔；110-发光二极管；111-石墨烯层；1111-突出部分；112-半导体层；1121-半导体层的侧面；113-导电层；120-薄膜晶体管；121-漏极；122-源极；123-有源层；124-栅极；125-栅极绝缘层；130-转移基板；140-转印装置；1000-薄膜晶体管背板。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，本专利技术使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。本专利技术的实施例提供一种发光二极管显示基板及其制作方法、显示器。该发光二极管显示基板包括衬底基板、设置在衬底基板上的发光二极管以及设置在发光二极管与衬底基板之间的自组装单分子层。该发光二极管包括石墨烯层，且石墨烯层设置在发光二极管靠近衬底基板的一侧；自组装单分子层设置在石墨烯层与衬底基板之间且与石墨烯层连接。该发光二极管显示基板一方面利用了石墨烯与氮化镓晶格匹配的特点有助于氮化镓在转移基板上长晶，而且石墨烯是导电材料，硬度和柔韧性都比较好，既可以做基底，又可以做电极，还可以作为媒介进行卷对卷载体转移工艺；另一方面采用自组装单分子层(self-assemblymonolayer)与石墨烯层以化学键形式连接，从而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管显示基板，包括：衬底基板；发光二极管，设置在所述衬底基板上，其中，所述发光二极管包括石墨烯层，且所述石墨烯层设置在所述发光二极管靠近所述衬底基板的一侧；自组装单分子层，设置在所述石墨烯层与所述衬底基板之间且与所述石墨烯层连接。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管显示基板，包括：衬底基板；发光二极管，设置在所述衬底基板上，其中，所述发光二极管包括石墨烯层，且所述石墨烯层设置在所述发光二极管靠近所述衬底基板的一侧；自组装单分子层，设置在所述石墨烯层与所述衬底基板之间且与所述石墨烯层连接。2.根据权利要求1所述的发光二极管显示基板，其中，所述自组装单分子层包括至少一种有机分子，所述有机分子的两端分别包括叠氮官能团与氨基官能团，且所述叠氮官能团与所述石墨烯层中的石墨烯分子以化学键形式相连。3.根据权利要求2所述的发光二极管显示基板，其中，所述有机分子包括4-重氮基-2,3,5,6-四氟苯甲酸乙胺。4.根据权利要求2所述的发光二极管显示基板，还包括：有机膜层，设置在所述自组装单分子层与所述衬底基板之间，且与所述自组装单分子层中的所述氨基官能团通过氢键连接。5.根据权利要求1所述的发光二极管显示基板，其中，所述发光二极管还包括设置在所述石墨烯层上的半导体层以及设置在所述半导体层上的导电层。6.根据权利要求5所述的发光二极管显示基板，还包括：保护层，设置在所述导电层的部分上表面。7.根据权利要求6所述的发光二极管显示基板，其中，所述石墨烯层包括在沿平行于所述衬底基板的第一方向延伸超过所述半导体层的突出部分，且所述保护层设置在所述半导体层的侧面并连接到所述石墨烯层的突出部分。8.根据权利要求1所述的发光二极管显示基板，还包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括漏极，所述漏极与所述石墨烯层电连接。9.根据权利要求1-8任一项所述的发光二极管显示基板，其中，所述发光二极管的尺寸为1微米-100微米。10.一种发光二极管显示基板的制作方法，包括：在转移基板上形成石墨烯层；在所述石墨烯层上形成半导体层以及导电层以形成发...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯翔，刘莎，杨瑞智，孙晓，邱云，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11