The utility model discloses a LED chip with low fragmentation rate, relates to a semiconductor chip, the LED chip from the bottom to the top in turn includes: a substrate and the lower part of the substrate is provided with white coat and stealth cutting lines; in the buffer layer on the substrate; in the N type semiconductor layer on the buffer layer in the light emitting layer; the N type semiconductor; on the luminescence of P type semiconductor layer layer; in the current of the P type semiconductor layer on the barrier layer; in the current blocking layer of transparent conductive layer; a nano metal layer of the transparent conductive layer on the nano metal a layer of metal nanoparticles, the utility model has the advantages of antistatic ability, effectively reduce the risk of LED packaging failure, improve the reliability and stability of LED chip, improve the brightness of the LED chip, LED chip can reduce the fragment The rate of.
【技术实现步骤摘要】
一种低破片率的LED芯片
本技术涉及半导体芯片领域,特别涉及一种低破片率的LED芯片。
技术介绍
发光二极管(Light-EmittingDiode,LED)是一种能发光的半导体电子元件。这种电子元件早在1962年出现,早期只能发出低光度的红光,之后发展出其他单色光的版本,时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线,光度也提高到相当的光度。由于其具有节能、环保、安全、寿命长、低功耗、低热、高亮度、防水、微型、防震、易调光、光束集中、维护简便等特点,可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。随着技术的发展,人们对LED芯片的亮度要求越来越高,但是目前LED芯片抗静电能力较弱,封装应用存在破损率高和失效风险,LED芯片的可靠性和稳定性较低,容易失效。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种低破片率的LED芯片,以解决现有技术中导致的上述多项缺陷。实现上述目的,本技术提供以下的技术方案:一种低破片率的LED芯片,所述LED芯片从下而上依次包括:衬底,所述衬底下部设有白膜层和隐形切割纹;位于所述衬底上的缓冲层;位于所述缓冲层上的N型半导体层;位于所述N型半导体上的发光层;位于所述发光层上的P型半导体层;位于所述P型半导体层上的电流阻挡层;位于所述电流阻挡层上的透明导电层;所述透明导电层上设有纳米金属层,所述纳米金属层上设有纳米金属颗粒。优选的,所述N型半导体层上设有与N型半导体层电性相连的N电极,N电极与N型半导体层接触,所述P型半导体层上设有与P型半导体层电性相连的P电极,P电极通过所述透明导电层与P型半导体层连接。优选的,所述P电极包括 ...
【技术保护点】
一种低破片率的LED芯片,其特征在于:所述LED芯片从下而上依次包括:衬底,所述衬底下部设有白膜层和隐形切割纹;位于所述衬底上的缓冲层;位于所述缓冲层上的N型半导体层;位于所述N型半导体上的发光层;位于所述发光层上的P型半导体层;位于所述P型半导体层上的电流阻挡层;位于所述电流阻挡层上的透明导电层;所述透明导电层上设有纳米金属层,所述纳米金属层上设有纳米金属颗粒。
【技术特征摘要】
1.一种低破片率的LED芯片,其特征在于:所述LED芯片从下而上依次包括:衬底,所述衬底下部设有白膜层和隐形切割纹;位于所述衬底上的缓冲层;位于所述缓冲层上的N型半导体层;位于所述N型半导体上的发光层;位于所述发光层上的P型半导体层;位于所述P型半导体层上的电流阻挡层;位于所述电流阻挡层上的透明导电层;所述透明导电层上设有纳米金属层,所述纳米金属层上设有纳米金属颗粒。2.根据权利要求1所述的一种低破片率的LED芯片,其特征在于,所述N型半导体层上设有与N型半导体层电性相连的N电极,N电极与N型半导体层接触,所述P型半导体层上设有与P型半导体层电性相连的P电极,P电极通过所述透...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄胜明,张冬平,
申请(专利权)人:芜湖鑫芯微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽,34
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