【技术实现步骤摘要】
本技术一种高出光率的LED芯片结构，属于LED芯片
技术介绍
目前LED技术已经取得很大成果，但是LED电光转换效率还不是很高。人们已经提出了多种能提高光提取效率的方法，比如倒装结构、芯片形状几何化结构、图形衬底、光子晶体、表面粗化、背镀反射镜、电流扩展优化等。然而，如何突破现有技术进一步提高出光效率仍然是当前需要解决的重要问题。
技术实现思路
本技术克服现有技术存在的不足，所要解决的技术问题为提供一种高出光率的LED芯片结构，具体是提高LED芯片电流扩散、提高最终出光率。为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为:一种高出光率的LED芯片结构，包括发光本体，所述发光本体的上端设置有N电极，所述发光本体的下端设置有P电极，所述发光本体和N电极之间设置有P型金属。所述P型金属蒸镀在N电极的下端面上。两个所述的P电极对称设置在发光本体的下部两端。所述N电极呈凸形，所述P型金属位于N电极凸形的正下方，所述P型金属的宽度小于N电极凸形的下部宽度。本技术与现有技术相比具有的有益效果是:本技术解决了 LED芯片内部电流扩散不均匀所导致的出光率低的技术问题，在发光本体的上端设置N电极，在发光本体的下端设置P电极，将P型金属设置在发光本体和N电极之间，通过提高LED芯片电流扩散，提高最终出光率。【附图说明】下面结合附图对本技术做进一步详细的说明。图1为本技术的结构示意图。图中:1为发光本体、2为N电极、3为P电极、4为P型金属。【具体实施方式】如图1所示，本技术一种高出光率的LED芯片结构，包括发光本体1，所述发光本体I的上端设置有N电极2，所述发光本体...
【技术保护点】
一种高出光率的LED芯片结构，其特征在于：包括发光本体（1），所述发光本体（1）的上端设置有N电极（2），所述发光本体（1）的下端设置有P电极（3），所述发光本体（1）和N电极（2）之间设置有P型金属（4）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：沈志强，许智程，李莎莎，
申请(专利权)人：山西南烨立碁光电有限公司，
类型：新型
国别省市：山西;14
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