本实用新型专利技术公开了一种提升红光外延AlGaInP亮度的结构，可以有效提升内量子效率；采用的技术方案为：窗口层位于GaAs基板层上部，窗口层和GaAs基板层之间从上到下依次设置有P-clading生长层、MQW生长层、N-clading生长层、DBR生长层和buffer生长层，窗口层的生长材料为GaP，P-clading生长层的生长材料为AlInP，MQW生长层为多重量子阱发光层，其生长材料为AlGaInP，N-clading生长层的生长材料为AlInP，DBR生长层的生长材料为AlAs和AlGaAs，buffer生长层的生长材料为GaAs；本实用新型专利技术可广泛应用于红光LED领域。
【技术实现步骤摘要】
本技术一种提升红光外延AlGalnP亮度的结构，属于红光L邸
技术介绍
L邸都是在GaAs基板上生长PN结，在GaAs基板上生长P系列材料，发光层通常为 不同组分的AlGalnP结构组成，通过改变发光层的结构W及组分可W产生不同波段不同亮 度的外延片。目前业内最大的难题是，在相同晶粒尺寸的前提下提升巧片亮度，也就是最大 程度的提升内量子效率。
技术实现思路
本技术克服了现有技术存在的不足，提供了一种提升红光外延AlGalnP亮度 的结构，采用多重量子阱发光层AlGalnP结构，可W有效提升内量子效率，亮度可W在原来 量子阱的基础上提升10%。 为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为；一种提升红光外延 AlGalnP亮度的结构，包括窗口层和GaAs基板层，所述窗口层位于GaAs基板层上部，所述 窗口层和GaAs基板层之间从上到下依次设置有P-clading生长层、MQW生长层、N-clading 生长层、DBR生长层和buffer生长层，所述窗口层的生长材料为GaP，所述P-clading生长 层的生长材料为AllnP，所述MQW生长层为多重量子阱发光层，其生长材料为AlGalnP,所述 N-clading生长层的生长材料为AllnP，所述DBR生长层的生长材料为AlAs和AlGaAs，所述 buffer生长层的生长材料为GaAs。优选地，所述窗口层和P-clading生长层中均渗杂有Mg，所述N-clading生长层和 buffer生长层中均渗杂有Te。 本技术与现有技术相比具有的有益效果是；本技术主要是在原有的红光 外延正极性结构程序A的基础上，改变量子阱结构，即用程序B来提升外延亮度。分别为程 序A和程序B的多重量子阱能阶图。程序B的多重量子阱能阶与程序A的相比，中间多出 两层较厚的高能阶层。该两层较厚的高能阶层主要目的是：用来阻挡速度较快的电子穿越 多重量子阱，起不到与电洞复合发光的作用，通过改变发光层结构，提升LED内量子效率， 提升外延磊晶的亮度。【附图说明】 下面结合附图对本技术做进一步的说明。 图1为本技术的结构示意图。 图2为本技术中设及的程序A的能阶图。 图3为本技术中设及的程序B的能阶图。 图中；1为窗口层、2为GaAs基板层、3为P-clading生长层、4为MQW生长层、5为 N-clading生长层、6为DBR生长层、7为buffer生长层。【具体实施方式】[001引如图1、图2和图3所示，本技术一种提升红光外延AlGalnP亮度的结构，包括 窗口层1和GaAs基板层2,所述窗口层1位于GaAs基板层2上部，所述窗口层1和GaAs基 板层2之间从上到下依次设置有P-clading生长层3、MQW生长层4、N-clading生长层5、 DBR生长层6和buffer生长层7,所述窗口层1的生长材料为GaP，所述P-clading生长层3 的生长材料为AllnP，所述MQW生长层4为多重量子阱发光层，其生长材料为AlGalnP，所述 N-clading生长层5的生长材料为AllnP，所述DBR生长层6的生长材料为AlAs和AlGaAs， 所述buffer生长层7的生长材料为GaAs。 所述窗口层1和P-clading生长层3中均渗杂有Mg，所述N-clading生长层5和 buffer生长层7中均渗杂有Te。 本技术主要是在原有的红光外延正极性结构程序A的基础上，改变量子阱结 构，即用程序B来提升外延亮度。图2和图3分别为程序A和程序B的多重量子阱能阶图。 由图2和图3可W看出，程序B的多重量子阱能阶与程序A的相比，中间多出两层较厚的高 能阶层。该两层较厚的高能阶层主要目的是；用来阻挡速度较快的电子穿越多重量子阱，起 不到与电洞复合发光的作用。 本技术主要通过改变外延发光层结构来提升L邸亮度。程序B的巧片亮度比 程序A的至少提升10%。实验数据详见下表， 上面结合附图对本技术的实施例作了详细说明，但是本技术并不限于上 述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可W在不脱离本技术宗旨 的前提下作出各种变化。【主权项】1. 一种提升红光外延AlGaInP亮度的结构，其特征在于：包括窗口层（1)和GaAs基板 层（2)，所述窗口层（1)位于GaAs基板层（2)上部，所述窗口层（1)和GaAs基板层（2)之间 从上到下依次设置有P-clading生长层（3)、MQW生长层（4)、N-clading生长层（5)、DBR生 长层（6)和buffer生长层（7)，所述窗口层（1)的生长材料为GaP，所述P-clading生长层 (3 )的生长材料为AlInP，所述MQW生长层（4)为多重量子阱发光层，其生长材料为AlGalnP， 所述N-clading生长层（5)的生长材料为AllnP，所述DBR生长层（6)的生长材料为AlAs 和AlGaAs，所述buffer生长层（7)的生长材料为GaAs。2. 根据权利要求1所述的一种提升红光外延AlGaInP亮度的结构，其特征在于：所述 窗口层（1)和P-clading生长层（3)中均掺杂有Mg，所述N-clading生长层（5)和buffer 生长层（7)中均掺杂有Te。【专利摘要】本技术公开了一种提升红光外延AlGaInP亮度的结构，可以有效提升内量子效率；采用的技术方案为：窗口层位于GaAs基板层上部，窗口层和GaAs基板层之间从上到下依次设置有P-clading生长层、MQW生长层、N-clading生长层、DBR生长层和buffer生长层，窗口层的生长材料为GaP，P-clading生长层的生长材料为AlInP，MQW生长层为多重量子阱发光层，其生长材料为AlGaInP，N-clading生长层的生长材料为AlInP，DBR生长层的生长材料为AlAs和AlGaAs，buffer生长层的生长材料为GaAs；本技术可广泛应用于红光LED领域。【IPC分类】H01L33/06, H01L33/02【公开号】CN204632792【申请号】CN201520187848【专利技术人】郭艳 【申请人】山西南烨立碁光电有限公司【公开日】2015年9月9日【申请日】2015年3月31日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种提升红光外延AlGaInP亮度的结构，其特征在于：包括窗口层（1）和GaAs基板层（2），所述窗口层（1）位于GaAs基板层（2）上部，所述窗口层（1）和GaAs基板层（2）之间从上到下依次设置有P‑clading生长层（3）、MQW生长层（4）、N‑clading生长层（5）、DBR生长层（6）和buffer生长层（7），所述窗口层（1）的生长材料为GaP，所述P‑clading生长层（3）的生长材料为AlInP，所述MQW生长层（4）为多重量子阱发光层，其生长材料为AlGaInP，所述N‑clading生长层（5）的生长材料为AlInP，所述DBR生长层（6）的生长材料为AlAs和AlGaAs，所述buffer生长层（7）的生长材料为GaAs。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭艳，
申请(专利权)人：山西南烨立碁光电有限公司，
类型：新型
国别省市：山西;14
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