一种发光二极管的新型窗口层结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种发光二极管的新型窗口层结构，属于发光二极管技术领域,为解决电流拥挤、电压过高的技术问题，提供了一种结构简单，使用方便，有效地解决大电流注入下的拥挤效应，降低电压的发光二极管的新型窗口层结构,所采用的技术方案为砷化镓基板上设置有n型砷化镓缓冲层，n型砷化镓缓冲层上设置有n型磷化铟铝限制层，n型磷化铟铝限制层上设置有多重量子阱有源层，多重量子阱有源层上设置有p型磷化铟铝限制层，p型磷化铟铝限制层上设置有p型过渡层，p型过渡层的上设置有p型应变磷化铟镓窗口层，应变磷化铟镓窗口层上还设置有p型磷化镓窗口层;本实用新型专利技术结构简单，减少电流拥挤，降低电压，广泛用于发光二极管。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种发光二极管的新型窗口层结构，属于发光二极管

技术介绍
发光二极管(Light-Emitting D1de，LED)是一种能发光的半导体电子元件，具有体积小、能耗低、寿命长、环保耐用等优点。随着技术的不断进步，发光二极管已被广泛的应用于显示器、电视机\采光装饰和照明。近年来，对于大功率照明发光二极管的研宄已经成为趋势，然而传统结构的发光二极管芯片存在电流拥挤、电压过高和散热难等缺点，影响发光二极管的发光效率。常用的提高发光效率的方法有在外延层的顶端再生长一厚层GaP，窗口层，由于GaP能隙大，对红黄光透明，大部分的光能够透射出去。对GaP表面进行粗化处理，可以抑制全反射现象，进一步降低二极管的发光损失。但是传统的GaP窗口层仍不能有效解决电流拥挤、电压过尚等缺点。
技术实现思路
为解决现有技术存在的电流拥挤、电压过高的技术问题，本技术提供了一种结构简单，使用方便，有效地解决大电流注入下的拥挤效应，降低电压的发光二极管的新型窗口层结构。为实现上述目的，本技术所采用的技术方案为一种发光二极管的新型窗口层结构，包括:砷化镓基板，所述砷化镓基板上设置有η型砷化镓缓本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的新型窗口层结构,其特征在于：包括：砷化镓基板（1），所述砷化镓基板（1）上设置有n型砷化镓缓冲层（2），所述n型砷化镓缓冲层（2）上设置有n型磷化铟铝限制层（4），所述n型磷化铟铝限制层（4）上设置有多重量子阱有源层（5），所述多重量子阱有源层（5）上设置有p型磷化铟铝限制层（6）,p型磷化铟铝限制层（6）上设置有p型过渡层（7），所述p型过渡层（7）的上设置有p型应变磷化铟镓窗口层（8），所述应变磷化铟镓窗口层（8）上还设置有p型磷化镓窗口层（9）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：颜慧，
申请(专利权)人：山西南烨立碁光电有限公司，
类型：新型
国别省市：山西;14