本实用新型专利技术涉及一种发光二极管的新型窗口层结构，属于发光二极管技术领域,为解决电流拥挤、电压过高的技术问题，提供了一种结构简单，使用方便，有效地解决大电流注入下的拥挤效应，降低电压的发光二极管的新型窗口层结构,所采用的技术方案为砷化镓基板上设置有n型砷化镓缓冲层，n型砷化镓缓冲层上设置有n型磷化铟铝限制层，n型磷化铟铝限制层上设置有多重量子阱有源层，多重量子阱有源层上设置有p型磷化铟铝限制层，p型磷化铟铝限制层上设置有p型过渡层，p型过渡层的上设置有p型应变磷化铟镓窗口层，应变磷化铟镓窗口层上还设置有p型磷化镓窗口层;本实用新型专利技术结构简单，减少电流拥挤，降低电压，广泛用于发光二极管。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种发光二极管的新型窗口层结构，属于发光二极管
技术介绍
发光二极管(Light-Emitting D1de，LED)是一种能发光的半导体电子元件，具有体积小、能耗低、寿命长、环保耐用等优点。随着技术的不断进步，发光二极管已被广泛的应用于显示器、电视机\采光装饰和照明。近年来，对于大功率照明发光二极管的研宄已经成为趋势，然而传统结构的发光二极管芯片存在电流拥挤、电压过高和散热难等缺点，影响发光二极管的发光效率。常用的提高发光效率的方法有在外延层的顶端再生长一厚层GaP，窗口层，由于GaP能隙大，对红黄光透明，大部分的光能够透射出去。对GaP表面进行粗化处理，可以抑制全反射现象，进一步降低二极管的发光损失。但是传统的GaP窗口层仍不能有效解决电流拥挤、电压过尚等缺点。
技术实现思路
为解决现有技术存在的电流拥挤、电压过高的技术问题，本技术提供了一种结构简单，使用方便，有效地解决大电流注入下的拥挤效应，降低电压的发光二极管的新型窗口层结构。为实现上述目的，本技术所采用的技术方案为一种发光二极管的新型窗口层结构，包括:砷化镓基板，所述砷化镓基板上设置有η型砷化镓缓冲层，所述η型砷化镓缓冲层上设置有η型磷化铟铝限制层，所述η型磷化铟铝限制层上设置有多重量子阱有源层，所述多重量子阱有源层上设置有P型磷化铟铝限制层，P型磷化铟铝限制层上设置有P型过渡层，所述P型过渡层的上设置有P型应变磷化铟镓窗口层，所述应变磷化铟镓窗口层上还设置有P型磷化镓窗口层。优选的，所述η型砷化镓缓冲层和η型磷化铟铝限制层之间设置有布拉格反射层。优选的，所述P型过渡层为P型磷化铝镓铟(AlxGal-x) 0.5In0.5P材料。优选的，所述p型应变磷化铟镓窗口层的厚度为100-600埃米。与现有技术相比，本技术具有以下技术效果:本技术结构简单，使用方便，在磷化镓窗口层内加入一层很薄的应变磷化铟镓窗口层，这样可有效地解决大电流注入下的拥挤效应，降低电压，改善垂直及倒装LED芯片的光电性能。【附图说明】图1为本技术的结构示意图。【具体实施方式】为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。如图1所示，一种发光二极管的新型窗口层结构，包括:砷化镓基板1，所述砷化镓基板I上设置有η型砷化镓缓冲层2，所述η型砷化镓缓冲层2上设置有η型磷化铟铝限制层4，所述η型磷化铟铝限制层4上设置有多重量子阱有源层5，所述多重量子阱有源层5上设置有P型磷化铟铝限制层6，P型磷化铟铝限制层6上设置有P型过渡层7，所述P型过渡层7的上设置有P型应变磷化铟镓窗口层8，所述P型应变磷化铟镓窗口层8上还设置有P型磷化镓窗口层9，所述η型砷化镓缓冲层2和η型磷化铟铝限制层4之间设置有布拉格反射层3，所述P型过渡层6为P型磷化铝镓铟(AlxGal-x) 0.5In0.5P材料，所述p型应变磷化铟镓窗口层7的厚度为100-600埃米。在过渡层-(AlXGal-X)0.5In0.5P后再生长一层100-600埃米的应变GaInP材料，即生长GaxInyP时减少In组分，使其组分小于0.45(y<0.45)，再生长一定厚度的GaP材料，这样可有效地解决大电流注入下的拥挤效应，降低电压，改善垂直及倒装LED芯片的光电性能。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包在本技术范围内。【主权项】1.一种发光二极管的新型窗口层结构，其特征在于:包括:砷化镓基板(I)，所述砷化镓基板(I)上设置有η型砷化镓缓冲层(2 )，所述η型砷化镓缓冲层(2 )上设置有η型磷化铟铝限制层(4)，所述η型磷化铟铝限制层(4)上设置有多重量子阱有源层(5)，所述多重量子阱有源层(5)上设置有P型磷化铟铝限制层(6)，P型磷化铟铝限制层(6)上设置有P型过渡层(7 )，所述P型过渡层(7 )的上设置有P型应变磷化铟镓窗口层(8 )，所述应变磷化铟镓窗口层(8)上还设置有P型磷化镓窗口层(9)。2.根据权利要求1所述的一种发光二极管的新型窗口层结构，其特征在于:所述η型砷化镓缓冲层(2)和η型磷化铟铝限制层(4)之间设置有布拉格反射层(3)。3.根据权利要求1所述的一种发光二极管的新型窗口层结构，其特征在于:所述P型过渡层(6)为P型磷化铝镓铟(AlxGal-x)0.5In0.5P材料。4.根据权利要求1所述的一种发光二极管的新型窗口层结构，其特征在于:所述P型应变磷化铟镓窗口层(7)的厚度为100-600埃米。【专利摘要】本技术涉及一种发光二极管的新型窗口层结构，属于发光二极管
,为解决电流拥挤、电压过高的技术问题，提供了一种结构简单，使用方便，有效地解决大电流注入下的拥挤效应，降低电压的发光二极管的新型窗口层结构,所采用的技术方案为砷化镓基板上设置有n型砷化镓缓冲层，n型砷化镓缓冲层上设置有n型磷化铟铝限制层，n型磷化铟铝限制层上设置有多重量子阱有源层，多重量子阱有源层上设置有p型磷化铟铝限制层，p型磷化铟铝限制层上设置有p型过渡层，p型过渡层的上设置有p型应变磷化铟镓窗口层，应变磷化铟镓窗口层上还设置有p型磷化镓窗口层;本技术结构简单，减少电流拥挤，降低电压，广泛用于发光二极管。【IPC分类】H01L33/14【公开号】CN204632793【申请号】CN201520187994【专利技术人】颜慧 【申请人】山西南烨立碁光电有限公司【公开日】2015年9月9日【申请日】2015年3月31日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光二极管的新型窗口层结构,其特征在于：包括：砷化镓基板（1），所述砷化镓基板（1）上设置有n型砷化镓缓冲层（2），所述n型砷化镓缓冲层（2）上设置有n型磷化铟铝限制层（4），所述n型磷化铟铝限制层（4）上设置有多重量子阱有源层（5），所述多重量子阱有源层（5）上设置有p型磷化铟铝限制层（6）,p型磷化铟铝限制层（6）上设置有p型过渡层（7），所述p型过渡层（7）的上设置有p型应变磷化铟镓窗口层（8），所述应变磷化铟镓窗口层（8）上还设置有p型磷化镓窗口层（9）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：颜慧，
申请(专利权)人：山西南烨立碁光电有限公司，
类型：新型
国别省市：山西;14
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