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本实用新型涉及一种发光二极管的新型窗口层结构，属于发光二极管技术领域,为解决电流拥挤、电压过高的技术问题，提供了一种结构简单，使用方便，有效地解决大电流注入下的拥挤效应，降低电压的发光二极管的新型窗口层结构,所采用的技术方案为砷化镓基板上设...
该专利属于山西南烨立碁光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西南烨立碁光电有限公司授权不得商用。

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