一种有效去除光阻的方法技术

本发明专利技术克服了现有技术存在的不足，提供了一种能提高产品的良率、有效去除光阻的方法；为了解决上述技术问题，本发明专利技术采用的技术方案为：一种有效去除光阻的方法，按以下步骤实施：第一步：将需去除光阻的晶片置于去光阻液中浸泡30min～60min；第二步：从去光阻液中取出水洗吹干；第三步：将吹干的晶片置于等离子装置中采用干式方法去除残余光阻；本发明专利技术可广泛应用于LED芯片领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术，属于LED芯片

技术介绍
半导体制程中常用的光阻采用光刻技术将掩膜上的图形转移的晶片表面，然后再 将光阻去除。目前LED业界去除光阻主要采用湿式蚀刻法，即将需去除光阻的晶片置于去 光阻液中浸泡然后水洗吹干，此方法存在光阻去除不干净的弊端，影响产品的光电性及产 品良率。
技术实现思路
本专利技术克服了现有技术存在的不足，提供了一种能提高产品的良率、有效去除光 阻的方法。 为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：，按 以下步骤实施： 第一步：将需去除光阻的晶片置于去光阻液中浸泡30min~60min; 第二步：从去光阻液中取出水洗吹干； 第三步：将吹干的晶片置于等离子装置中采用干式方法去除残余光阻。 优选地，所述离子装置的偏压功率为300W，离子化功率为500W，蚀刻时间为130s， 气体流量为15±lsccm。 本专利技术与现有技术相比具有的有益效果是：本专利技术采用干湿式相结合的方法可有 效去除光阻，利用等离子体及引入紫外光的方式对残余光阻进行蚀刻，通过调节〇2、Ar气的 气体流量比及紫外光的照度已达到有效去除残余光阻的目的，这样彻底消除因光阻残留对 广品造成的光电性影响，提尚了广品的良率。【附图说明】 下面结合附图对本专利技术做进一步的说明。 图1为本专利技术的工艺流程图。 图2为本专利技术中的干式蚀刻原理图。【具体实施方式】 如图1、图2所示，本专利技术，按以下步骤实施： 第一步：将需去除光阻的晶片置于去光阻液中浸泡30min~60min; 第二步：从去光阻液中取出水洗吹干； 第三步：将吹干的晶片置于等离子装置中采用干式方法去除残余光阻。 所述离子装置的偏压功率为300W，离子化功率为500W，蚀刻时间为130s，气体流 量为 15ilsccm〇 本专利技术涉及的干法蚀刻方法，按照以下步骤进行： a、 将偏压功率设定为300w，电感耦合等离子体功率设定为500w，蚀刻时间设定为 130s，气体流量设定为14sccm; b、 将带有掩膜的待蚀刻材料放入反应腔内； c、 将蚀刻完成的材料取出，置入化学溶液中去除掩膜； d、 将材料放入测量仪，测试材料五个位置的蚀刻深度； 所述干法蚀刻方法的整个过程温度控制在室温20±2°C。 得到的测试结果见表1:表1 (单位：埃米） 数据中显示的均匀度为0. 36%，小于气体流量为lOsccm和20sccm时的均匀度，产品的 质量更高，加工表面更平整。 或按照下述步骤进行： 在步骤a中的气体流量设定为15sccm，其他的条件和步骤均与实施例一相同。 「00151 得剞的测试结里见衷2:表2 (单位：埃米） 数据中显示的均匀度为0. 33%，小于气体流量为lOsccm和20sccm时的均匀度，产品的 质量更高，加工表面更平整。 也可以按下述步骤进行： 在步骤a中的气体流量设定为16sccm，其他的条件和步骤均与实施例一相同。 得到的测试结果见表3:表3 (单位：埃米） 数据中显示的均匀度为0. 39%，小于气体流量为lOsccm和20sccm时的均匀度，产品的 质量更高，加工表面更平整。 上面结合附图对本专利技术的实施例作了详细说明，但是本专利技术并不限于上述实施 例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本专利技术宗旨的前提下作 出各种变化。【主权项】1. ，其特征在于，按以下步骤实施： 第一步：将需去除光阻的晶片置于去光阻液中浸泡30min~60min ; 第二步：从去光阻液中取出水洗吹干； 第三步：将吹干的晶片置于等离子装置中采用干式方法去除残余光阻。2. 根据权利要求1所述的，其特征在于，所述离子装置的偏 压功率为300W，离子化功率为500W，蚀刻时间为130s，气体流量为15±lsccm。【专利摘要】本专利技术克服了现有技术存在的不足，提供了一种能提高产品的良率、有效去除光阻的方法；为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：，按以下步骤实施：第一步：将需去除光阻的晶片置于去光阻液中浸泡30min～60min；第二步：从去光阻液中取出水洗吹干；第三步：将吹干的晶片置于等离子装置中采用干式方法去除残余光阻；本专利技术可广泛应用于LED芯片领域。【IPC分类】H01L21/027, G03F7/42【公开号】CN104882364【申请号】CN201510147639【专利技术人】孟玲娟 【申请人】山西南烨立碁光电有限公司【公开日】2015年9月2日【申请日】2015年3月31日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有效去除光阻的方法，其特征在于，按以下步骤实施：第一步：将需去除光阻的晶片置于去光阻液中浸泡30min～60min；第二步：从去光阻液中取出水洗吹干；第三步：将吹干的晶片置于等离子装置中采用干式方法去除残余光阻。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孟玲娟，
申请(专利权)人：山西南烨立碁光电有限公司，
类型：发明
国别省市：山西;14