LED芯片及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种LED芯片，其包括：衬底；设置于所述衬底上的N型半导体层和P型半导体层；设置于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的发光层；与所述N型半导体层相连的N型电极；与所述P型半导体层相连的P型电极；以及设置于所述P型半导体层上的电流阻挡层；所述P型电极位于所述电流阻挡层上，所述P型电极连接有电极引脚；其特征在于，所述电极引脚远离所述P型电极的一端连接有截止引脚。该LED芯片在P电极引脚的端部设置截至引脚来增加该LED芯片的抗静电能力，从而使该LED芯片具有更高的可靠度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体芯片领域，尤其涉及一种LED芯片及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(LED，light emitting d1de)被称为第四代光源，具有节能、环保、安全、寿命长、低功耗、低热、高亮度、防水、微型、防震、易调光、光束集中、维护简便等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。随着技术的发展，人们对LED芯片的亮度要求越来越高。常用的LED芯片为追求亮度高，版型设计主要以P电极加上单引脚，透明导电层设计非常薄。这样就导致LED芯片抗静电能力(ESD)介于2500V-4000V(也就是人体模式)，这样的LED芯片抗静电能力较弱，封装应用存在失效风险。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种LED芯片及其制造方法，其具有较好的抗静电能力、更高的可靠性。为了解决上述技术问题，本专利技术一实施方式的LED芯片，包括:衬底； 设置于所述衬底上的N型半导体层和P型半导体层； 设置于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的发光层； 与所述N型半导体层相连的N型电极； 与所述P型半导体层相连的P型电极； 以及设置于所述P型半导体层上的电流阻挡层；所述P型电极位于所述电流阻挡层上，所述P型电极连接有电极引脚；其特征在于，所述电极引脚远离所述P型电极的一端连接有截止引脚。作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述截止引脚为一字形、弧形或一字形和弧形的组合。作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述截止引脚为弧形，所述弧形所在圆的圆心位于靠近所述P型电极的一侧。作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述电流阻挡层在所述衬底上的形状与所述P型电极、电极引脚和截止引脚共同形成的电极在所述衬底上的形状相同。作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述电流阻挡层在所述衬底上的面积大于所述P型电极、电极引脚和截止引脚共同形成的电极在所述衬底上的面积。作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述弧形所在圆的圆心位于所述电极引脚上。作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述衬底为蓝宝石衬底。作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述P型半导体层为P形GaN，所述N型半导体层为N型GaN。为了解决上述技术问题，本专利技术一实施方式提供一种LED芯片制造方法，其包括以下步骤: 在衬底上依次形成N型半导体层、发光层和P型半导体层； 图案化工艺刻蚀出N型半导体层； 在P型半导体层上形成电流阻挡层和透明导电层； 形成P型电极和N型电极，所形成的P型电极的端部形成有电极引脚，电极引脚远离所述P型电极的一端连接有截止引脚。作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述截止引脚为一字形、弧形或一字形和弧形的组合。与现有技术相比，本申请的LED芯片在P电极引脚的端部设置截至引脚来增加该LED芯片的抗静电能力，从而使该LED芯片具有更高的可靠度。【附图说明】图1为本专利技术实施例1的LED芯片的侧剖示意图。图2为本专利技术实施例1的LED芯片的俯视示意图。图3为本专利技术实施例2的LED芯片的俯视示意图。图4为本专利技术的实施例3的LED芯片制造流程图。图5~8为LED芯片制造过程中的结构示意图。【具体实施方式】以下将结合附图所示的【具体实施方式】对本专利技术进行详细描述。但这些实施方式并不限制本专利技术，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本专利技术的保护范围内。实施例1 如图1和图2所示，本实施例1提供一种LED芯片。该LED芯片包括:衬底110，设置于衬底110上的N型半导体层120和P型半导体层140，设置于N型半导体层120和P型半导体层140之间的发光层130，与N型半导体层120相连的N型电极170，与P型半导体层140相连的P型电极160，以及设置于P型半导体层140上的电流阻挡层180和透明导电层150。其中，P型电极160位于电流阻挡层180上，也位于透明导电层150上。P型电极160连接有电极引脚161。在该实施例中，P型电极160为圆形，电极引脚161为长方形。该LED芯片的衬底110包括上表面和下表面，其材质可为蓝宝石、S1、SiC、GaN、ZnO等。此处衬底110为蓝宝石衬底。N型半导体层120可通过MOCVD (金属有机化合物化学气相淀积，Metal-organicChemical Vapor Deposit1n)方法在衬底110的上表面形成，其材质可为N型为半导体材料，此处为N型GaN。发光层130设置于N型半导体层120的上方，其材质可为GaN、InGaN等。P型半导体层140设置于发光层130的上方，其材质可为P型半导体材料，此处为P 型 GaN。电流阻挡层180的材质可以为二氧化硅、氮化硅、二氧化钛、三氧化二钛、五氧化三钛、五氧化二钽、氧化锆等，在该实施例中，电流阻挡层180的材质为二氧化硅。如图2所示，与P型电极160连接的电极引脚161呈直线形，电极引脚161远离P型电极160的一端连接有截止引脚162。截止引脚162可以为一字形、弧形或一字形和弧形的组合，当然也可以为其它合适的形状。在该实施例中，截止引脚162为弧形。截止引脚162的弧形所在圆的圆心位于靠近P型电极160的一侧。更具体的，弧形所在圆的圆心位于电极引脚161上，弧形以电极引脚161所在直线为对称轴对称设置。电流阻挡层180位于P型电极160的正下方，电流阻挡层180在衬底110上的形状与P型电极160、电极引脚161和截止引脚162共同形成的电极在衬底110上的形状相同。也就是说，如图1所示，顶视图中，电流阻挡层180的形状与P型电极160、电极引脚161和截止引脚162共同形成的电极形状相同。电流阻挡层180在衬底110上的面积大于P型电极160、电极引脚161和截止引脚162共同形成的电极在衬底110上的面积。图1中可以看得P型电极160、电极引脚161和截止引脚162共同形成的形状无法全部遮挡电流阻挡层180。LED芯片为追求亮度高，版型设计主要采用P型电极160加上电极引脚161的形式。并且透明导电层180设计的非常薄。这样的LED芯片抗静电能力(ESD)介于2500V-4000V(人体模式)，封当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片，包括：衬底；设置于所述衬底上的N型半导体层和P型半导体层；设置于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的发光层；与所述N型半导体层相连的N型电极；与所述P型半导体层相连的P型电极；以及设置于所述P型半导体层上的电流阻挡层；所述P型电极位于所述电流阻挡层上，所述P型电极连接有电极引脚；其特征在于，所述电极引脚远离所述P型电极的一端连接有截止引脚。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李庆，陈立人，蔡睿彦，
申请(专利权)人：聚灿光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32