LED芯片及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种LED芯片，其包括：衬底；设置于所述衬底上的N型半导体层和P型半导体层；设置于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的发光层；与所述N型半导体层相连的N型电极；与所述P型半导体层相连的P型电极；以及设置于所述P型半导体层上的电流阻挡层；所述P型电极位于所述电流阻挡层上，所述P型电极连接有电极引脚；其特征在于，所述电极引脚远离所述P型电极的一端连接有截止引脚。该LED芯片在P电极引脚的端部设置截至引脚来增加该LED芯片的抗静电能力，从而使该LED芯片具有更高的可靠度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体芯片领域，尤其涉及一种LED芯片及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(LED，light emitting d1de)被称为第四代光源，具有节能、环保、安全、寿命长、低功耗、低热、高亮度、防水、微型、防震、易调光、光束集中、维护简便等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。随着技术的发展，人们对LED芯片的亮度要求越来越高。常用的LED芯片为追求亮度高，版型设计主要以P电极加上单引脚，透明导电层设计非常薄。这样就导致LED芯片抗静电能力(ESD)介于2500V-4000V(也就是人体模式)，这样的LED芯片抗静电能力较弱，封装应用存在失效风险。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种LED芯片及其制造方法，其具有较好的抗静电能力、更高的可靠性。为了解决上述技术问题，本专利技术一实施方式的LED芯片，包括:衬底； 设置于所述衬底上的N型半导体层和P型半导体层； 设置于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的发光层； 与所述N型半导体层相连的N型电极； 与所述P型半导体层相连的P型电极； 以及设置于所述P型半导体层上的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片，包括：衬底；设置于所述衬底上的N型半导体层和P型半导体层；设置于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的发光层；与所述N型半导体层相连的N型电极；与所述P型半导体层相连的P型电极；以及设置于所述P型半导体层上的电流阻挡层；所述P型电极位于所述电流阻挡层上，所述P型电极连接有电极引脚；其特征在于，所述电极引脚远离所述P型电极的一端连接有截止引脚。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李庆，陈立人，蔡睿彦，
申请(专利权)人：聚灿光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32