一种高强度LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高强度LED芯片，包括N型电极、P型电极、透明导电层、发光层、基层，其特征在于：还包括P型接触层，N型接触层，所述透明导电层、P型接触层、发光层、N型接触层、基层从上至下依次排列；所述P型电极设置在P型接触层顶部，N型电极设置在N型接触层顶部。本实用新型专利技术提供的一种高强度LED芯片，结构稳定性好，可以运用于高温环境；机械强度高，易于处理和清洗。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种高强度LED芯片，属于LED结构

技术介绍
LED芯片是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。现有LED芯片由于结构问题，往往强度不足，当受外力挤压时，容易损坏。
技术实现思路
目的:为了克服现有技术中存在的不足，本技术提供一种高强度LED芯片。技术方案:为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为:一种高强度LED芯片，包括N型电极、P型电极、透明导电层、发光层、基层、P型接触层，N型接触层，所述透明导电层、P型接触层、发光层、N型接触层、基层从上至下依次排列；所述P型电极设置在P型接触层顶部，N型电极设置在N型接触层顶部。还包括低温外延层，所述低温外延层设置在N型接触层与基层之间。作为优选方案，所述P型接触层，N型接触层均采用GaN材料。作为优选方案，所述低温外延层采用GaN材料。作为优选方案，所述基层采用蓝宝石材料。有益效果:本技术提供的一种高强度LED芯片，结构稳定性好，可以运用于高温环境；机械强度高，易于处理和清洗。【附图说明】图1为本技术的结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图对本技术作更进一步的说明。如图1所示，一种高强度LED芯片，包括N型电极1、P型电极2、透明导电层3、发光层4、基层5、P型接触层6，N型接触层7，所述透明导电层3、P型接触层6、发光层4、N型接触层7、基层5从上至下依次排列；所述P型电极2设置在P型接触层6顶部，N型电极I设置在N型接触层7顶部。还包括低温外延层8，所述低温外延层8设置在N型接触层7与基层5之间。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出:对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。【主权项】1.一种高强度LED芯片，包括N型电极、P型电极、透明导电层、发光层、基层，其特征在于:还包括P型接触层，N型接触层，所述透明导电层、P型接触层、发光层、N型接触层、基层从上至下依次排列；所述P型电极设置在P型接触层顶部，N型电极设置在N型接触层顶部。2.根据权利要求1所述的一种高强度LED芯片，其特征在于:还包括低温外延层，所述低温外延层设置在N型接触层与基层之间。3.根据权利要求1或2所述的一种高强度LED芯片，其特征在于:所述P型接触层，N型接触层均采用GaN材料。4.根据权利要求2所述的一种高强度LED芯片，其特征在于:所述低温外延层采用GaN材料。5.根据权利要求1或2所述的一种高强度LED芯片，其特征在于:所述基层采用蓝宝石材料。【专利摘要】本技术公开了一种高强度LED芯片，包括N型电极、P型电极、透明导电层、发光层、基层，其特征在于：还包括P型接触层，N型接触层，所述透明导电层、P型接触层、发光层、N型接触层、基层从上至下依次排列；所述P型电极设置在P型接触层顶部，N型电极设置在N型接触层顶部。本技术提供的一种高强度LED芯片，结构稳定性好，可以运用于高温环境；机械强度高，易于处理和清洗。【IPC分类】H01L33-36【公开号】CN204332998【申请号】CN201420847301【专利技术人】傅立铭 【申请人】苏州汉克山姆照明科技有限公司【公开日】2015年5月13日【申请日】2014年12月29日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高强度LED芯片，包括N型电极、P型电极、透明导电层、发光层、基层，其特征在于：还包括P型接触层，N型接触层，所述透明导电层、P型接触层、发光层、N型接触层、基层从上至下依次排列；所述P型电极设置在P型接触层顶部，N型电极设置在N型接触层顶部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：傅立铭，
申请(专利权)人：苏州汉克山姆照明科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32