可防止晶圆过反应的反应装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种可防止晶圆过反应的反应装置，包括反应槽和补水管，所述反应槽通过连接管路和厂务排放系统连接，所述补水管伸入所述反应槽内部，还包括缓冲罐、排放管和真空泵，所述缓冲罐设置于所述反应槽的下方，所述反应槽的底部开设一个排放口，所述排放管的一端接所述反应槽的排放口，所述排放管的另一端接所述缓冲罐，所述真空泵设置于所述缓冲罐和所述厂务排放系统的连接管路上。当出现紧急情况，需要快速排放反应液时，通过开启真空泵，使得缓冲罐内的出现负压，由此可使反应槽内的反应液快速经排放口通过排放管流入到缓冲罐内，同时经由补水管对反应槽内的晶圆进行冲洗，可以有效防止晶圆在反应液中时间过长，提高产品良率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及ー种可防止晶圆过反应的反应装置。
技术介绍
目前，在半导体エ艺中，反应装置经常使用反应液例如是氢氟酸(HF)对晶圆上的氧化层进行蚀刻。对于蚀刻时间的控制是整个蚀刻エ艺中的关键控制节点。请參阅图I,现有的反应装置的结构包括由内槽110和外槽120组成的反应槽以及一根带有控制阀131的补水管130，所述补水管130伸入所述内槽110内，所述内槽110和所述外槽120分别通过连接管路与厂务排放系统140连接，所述内槽110与所述厂务排放系统140之间的连接管路上设有控制阀111，所述外槽120与所述厂务排放系统140之间的连接管路上设有控制阀121，所述内槽110和所述外槽120的连接管路上依次设有过滤器150、加热器160和加压泵170。在进行蚀刻反应时，内槽110和外槽120之间通过过滤器150、加热器160和加压泵170对反应槽内的反应液进行循环加热使用。一旦，反应装置出现故障，致使晶圆(未图示)的蚀刻时间过长时，现有的应急机制是，打开控制阀111、121、131，ー边对内槽110和外槽120中的反应液进行排放，ー边向内槽110内注入纯水以稀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨勇，杜亮，赖力彰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：