一种大功率半导体器件封装模具成型装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种大功率半导体器件封装模具成型装置，由装置本体和设置在装置本体上的若干均布的成型齿组成，在装置本体两端设置定位块，中间设置定位孔，所述成型齿的齿牙边与装置本体的垂直线之间设置有2°～3°倾角，在齿牙顶部两边设置65～85°，半径0.05～0.07mm的倒角。本实用新型专利技术装置本体以及成型齿的设计，控制了入料位置，同时由于将成型齿的齿牙边与装置本体的垂直线之间设置倾角，以及齿牙顶部两边设置的倒角，彻底解决了毛刺等造成的入位问题，本申请结构简单，制作成本低，生产效率大大提高。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种大功率半导体器件封装模具，尤其涉及一种大功率半导体器件封装模具成型装置。
技术介绍
在大功率半导体器件封装生产过程中，leadframe经上料架进入模具时，入位十分重要。现有的设计虽然理论上能让其快速入位，但实际生产过程中，成型牙齿顶部的拐角形成瓶颈，加上leadframe加工过程不可避免的产生毛刺，极大的造成入位问题，致使现有模具造成leadframe变形，压伤，甚至报废，而且长期使用中，模具成型牙齿会压踏，大大的降低生产效率，增加了生产的风险和成本。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的不足，本技术的目的在于提供一种结构简单、成本低、生产效率高，解决入位问题的大功率半导体器件封装模具成型装置。为达到上述目的，本技术所采用的技术手段是：一种大功率半导体器件封装模具成型装置，由装置本体和设置在装置本体上的若干均布的成型齿组成，在装置本体两端设置定位块，中间设置定位孔，所述成型齿的齿牙边与装置本体的垂直线之间设置有2°～3°倾角，在齿牙顶部两边设置65～85°，半径0.05～0.07mm的倒角。进一步的，所述成型齿相邻的两个齿牙的齿牙边齿顶部端点相距10mm。进一步的，所述成型齿的齿牙边与装置本体的垂直线之间设置倾角为2.686°。进一步的，所述装置本体的长度为240.0mm，误差为0～-0.005。本技术的有益效果是：装置本体以及成型齿的设计，控制了入料位置，同时由于将成型齿的齿牙边与装置本体的垂直线之间设置倾角为2.686°，以及齿牙顶部两边设置65～85°，半径0.05～0.07mm的倒角，彻底解决了毛刺等造成的入位问题，本申请结构简单，制作成本低，生产效率大大提高。附图说明下面结合附图和实施例对本技术作进一步的阐述。图1为本技术的结构示意图；图2为本技术的齿结构示意图。图中：1、装置本体，2、成型齿，3、定位块，4、定位孔，5、倒角。具体实施方式实施例1如图1、2所示的，一种大功率半导体器件封装模具成型装置，由装置本体1和设置在装置本体上的若干均布的成型齿2组成，在装置本体1两端设置定位块3，中间设置定位孔4，所述成型齿2的齿牙边与装置本体的垂直线之间设置有2°～3°倾角，在齿牙顶部两边设置65～85°，半径0.05～0.07mm的倒角5。实施例2作为实施例1的优选，所述成型齿2相邻的两个齿牙的齿牙边齿顶部端点相距10mm。所述成型齿2的齿牙边与装置本体1的垂直线之间设置倾角为2.686°。所述装置本体1的长度为240.0mm，误差为0～-0.005。本技术装置本体以及成型齿的设计，控制了入料位置，同时由于将成型齿的齿牙边与装置本体的垂直线之间设置倾角为2.686°，以及齿牙顶部两边设置65～85°，半径0.05～0.07mm的倒角，彻底解决了毛刺等造成的入位问题，使得leadframe的入位十分顺畅，即使上料后不能马上入位，也能通过晃动上料架，使之滑落。大大的提高了生产效率，有效的降低了模具备件成本。这在实际生产应用中，已经得到客户的认可。本申请结构简单，加工方法十分简单，在机械加工工序最后阶段，在平面磨床上加工即可，制作成本低，防止现有设备生产风险的发生，生产效率大大提高。本技术所公开的实施例只是对本技术的技术方案的解释，不能作为对本
技术实现思路
的限制，本领域技术人员在本技术基础上的简单变更，依然在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率半导体器件封装模具成型装置，由装置本体(1)和设置在装置本体上的若干均布的成型齿(2)组成，其特征在于：在装置本体(1)两端设置定位块(3)，中间设置定位孔(4)，所述成型齿(2)的齿牙边与装置本体的垂直线之间设置有2°～3°倾角，在齿牙顶部两边设置65～85°，半径0.05～0.07mm的倒角(5)。

【技术特征摘要】
1.一种大功率半导体器件封装模具成型装置，由装置本体(1)和设置在装置本体上的若干均布的成型齿(2)组成，其特征在于：在装置本体(1)两端设置定位块(3)，中间设置定位孔(4)，所述成型齿(2)的齿牙边与装置本体的垂直线之间设置有2°～3°倾角，在齿牙顶部两边设置65～85°，半径0.05～0.07mm的倒角(5)。2.根据权利要求1所述的大功率半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：章培培，张俊慧，屈胜海，
申请(专利权)人：章培培，
类型：新型
国别省市：安徽;34