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本发明具有如下工序：第一图案形成工序(S13)，通过将由光致抗蚀剂膜构成的第一线部作为掩模对反射防止膜进行蚀刻来形成包括第二线部的图案；照射工序(S14)，对光致抗蚀剂膜照射电子；氧化硅膜成膜工序(S15)，形成氧化硅膜；回蚀工序(S16)...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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