结晶半导体的制造方法及激光退火装置制造方法及图纸

在利用脉冲激光的照射来使硅薄膜进行晶化时，实现均匀的晶化。制造装置包括：激光振荡器，该激光振荡器输出脉冲激光；光学系统，该光学系统将所述脉冲激光导向非晶半导体；以及移动装置，该移动装置使所述非晶半导体进行相对移动以将所述脉冲激光对所述非晶半导体进行扫描并照射，所述激光振荡器中，所输出的脉冲激光因强度随时间变化而在1个脉冲中具有多个波峰群，该波峰群中具有最大高度的第一波峰群和其后出现的第二波峰群在波峰强度值上满足（第二波峰群）/（第一波峰群）≤0.35的关系，将所述脉冲激光照射到非晶半导体，获得具有均匀特性的结晶半导体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及结晶半导体的制造方法及激光退火装置，该结晶半导体的制造方法及激光退火装置适用于制造在液晶显示器、有机EL显示器的像素开关、驱动电路中使用的薄膜晶体管的多晶或单晶半导体膜。
技术介绍
在液晶显示器、有机EL(电致发光Electro-Luminescence)显 示器的像素开关、驱动电路中使用的薄膜晶体管中，作为低温工艺制造方法的一个环节，进行使用激光的激光退火。该方法中，对在基板上成膜的非单晶半导体膜照射激光来进行局部加热熔融，此后，在其冷却过程中，将半导体薄膜进行晶化以形成多晶或单晶。晶化后的半导体薄膜的载流子迁移率增高，因此，可使得薄膜晶体管具有高性能。在照射上述激光时，需要在半导体薄膜中进行均匀处理，一般进行使激光输出恒定的控制，从而使所照射的激光具有稳定的照射能量，在脉冲激光中，进行使脉冲能量恒定的控制。然而，在上述脉冲激光中较多采用的受激准分子气体激光器通过放电方式来振荡出激光。高输出的受激准分子气体激光器中，利用高电压进行I次的放电后，因残留电压而产生多次放电，其结果是产生具有多个波峰的激光。此时，第二波峰以后的波峰的特性可能与第一波峰的特性不相同。因此，提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑石焕，次田纯一，町田政志，
申请(专利权)人：株式会社日本制钢所，
类型：
国别省市：