一种制备低应力GaN薄膜的方法技术

一种制备低应力GaN薄膜的方法，通过光助法腐蚀溶剂腐蚀GaN/蓝宝石复合衬底，形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底；光助法腐蚀采用紫外光辅助腐蚀，腐蚀溶剂采用强碱和氧化剂混合溶液，即NaOH或KOH摩尔浓度范围为0.5-1.5M与K2S2O8的混和物摩尔浓度范围为0.05-0.15M，在室温或50℃以下的温度，反应时间为0.5-10小时；得到纳米结构GaN/蓝宝石复合衬底。本发明专利技术用于降低氢化物气相外延（HVPE）生长半导体材料GaN薄膜材料中应力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种无电极光助GaN材料腐蚀并获得纳米结构的方法，用于降低氢化物气相外延(HVPE)生长半导体材料GaN薄膜材料中应力和获得自支撑GaN衬底的方法以及工艺。
技术介绍
以GaN及InGaN、AlGaN合金材料为主的III-V族氮化物材料(又称GaN基材料)是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料。GaN基材料是直接带隙宽禁带半导体材料，具有I. 9-6. 2eV之间连续可变的直接带隙，优异的物理、化学稳定性，高饱和电子漂移速度，高击穿场强和高热导率等优越性能，在短波长半导体光电子器件和高频、高压、高温微电子器件制备等方面具有重要的应用，用于制造比如蓝、紫、紫外波段发光器件、探测器件，高温、高频、高场大功率器件，场发射器件，抗辐射器件，压电器件等。 GaN基材料的生长有很多种方法，如金属有机物气相外延(MOCVD)、高温高压合成体GaN单晶、分子束外延(MBE)、升华法以及氢化物气相外延(HVPE)等。由于GaN基材料本身物理性质的限制，GaN体单晶的生长具有很大的困难，尚未实用化。氢化物气相外延由于具有高的生长率和横向-纵向外延比，可用于同质外延生长自支撑GaN衬底，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备低应力GaN薄膜的方法，其特征是通过光助法腐蚀溶剂腐蚀GaN/蓝宝石复合衬底，形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底；光助法腐蚀采用紫外光辅助腐蚀，腐蚀溶剂采用强碱和氧化剂混合溶液，即NaOH或KOH摩尔浓度范围为0.5？1.5M与K2S2O8的混和物摩尔浓度范围为0.05？0.15M，在室温或50℃以下的温度，反应时间为0.5？10小时；得到纳米结构GaN/蓝宝石复合衬底。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：修向前，华雪梅，张士英，林增钦，谢自力，张荣，韩平，陆海，顾书林，施毅，郑有炓，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：