用于微波晶体再生长的低温方法和设备技术

本发明专利技术涉及用于微波晶体再生长的低温方法和设备。本发明专利技术描述半导体装置和用于制造所述装置的方法。所述半导体装置含有通过以下操作制成的外延层：提供含有具有单晶结构的上表面的半导体衬底；在所述衬底的所述上表面上形成一层，其中所述层包括大体上与所述半导体衬底相同的材料且包括非晶或多晶结构；以及使用低温微波加热所述层以将所述非晶结构改变为单晶结构。所述外延层也可通过以下操作制成：提供具有单晶材料的上表面的半导体衬底；以及随后使用微波在小于约550℃的晶片温度下在所述衬底上表面上形成外延层。可使用相同或单独的低温微波处理来激活所述外延层中的原位或植入的掺杂剂。本发明专利技术描述了其它实施例。

【技术实现步骤摘要】

本申请案大体上涉及半导体 装置和用于制造所述装置的方法。更特定来说，本申请案描述含有使用低温微波处理形成的外延层的半导体装置和用于制造所述装置的设备。
技术介绍
含有集成电路(IC)或离散装置的半导体装置用于广泛多种电子设备中。所述IC装置(或芯片或离散装置)包括已在半导体材料的衬底的表面中制造的微型化电子电路。所述电路由多个重叠层构成，包含含有可扩散到所述衬底中的掺杂剂的层(称为扩散层)或植入到所述衬底中的离子的层(植入层)。其它层是传导层之间的导体(多晶硅或金属层)或连接件(通孔或接触层)。IC装置或离散装置可在逐层エ艺中制造，所述逐层エ艺使用许多步骤的组合，包含生长层、成像、沉积、蚀刻、掺杂和清洗。硅晶片通常用作衬底，且使用光刻来掩盖衬底的将被掺杂或用以沉积和界定多晶硅、绝缘体或金属层的不同区域。一种类型的半导体装置，金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET)装置可广泛用于众多电子设备中，包含汽车电子器件、磁盘驱动器和电カ供应器。ー些MOSFET装置可形成于已在衬底中形成的沟槽中。使沟槽配置引人注意的一个特征是电流垂直流过MOSFET的沟道。此准许比其它MOSFET高的单元和/本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造外延层的方法，其包括：提供含有具有单晶结构的上表面的半导体衬底；在所述衬底的所述上表面上形成一层，其中所述层包括大体上与所述半导体衬底相同的材料且包括非晶或多晶结构；以及使用低温微波加热所述层以将所述非晶或多晶结构改变为单晶结构。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特·J·珀特尔，
申请(专利权)人：飞兆半导体公司，
类型：发明
国别省市：