用树脂层制造密集台阶型器件自对准金属图形的转移方法技术

本发明专利技术是用树脂层制造密集台阶型器件自对准金属图形的转移方法，其工艺包括：一、制成密集台阶结构；二、使用酸性溶液清洗经过部分工艺的半导体材料；三、在半导体材料上形成一层金属膜；四、在半导体材料上涂覆粘附剂、树脂层；五、树脂层进行加热固化；六、处理半导体材料上的树脂层，露出台阶上表面及部分台阶侧壁金属层；七、去除半导体材料台阶上表面及部分台阶侧壁露出的金属膜；八、进行去树脂层。优点：解决了通过普通光刻方式无法实现的台阶底部及部分台阶侧壁金属层完好覆盖的问题，通过自对准方式保证了台阶上表面及部分台阶侧壁金属层的露出及去除，保证了密集台阶结构的槽底部区域金属层的完好覆盖。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种自对准金属图形的转移方法，具体涉及的是一种采用树脂层用于制造密集台阶型器件的自对准金属图形的转移方法。
技术介绍
宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)具有宽禁带宽度、高临界场强、高热导率、高载流子饱和速率等特性。SiC衬底上的SiC外延是制造高温、高频、大功率等器件最重要的半导体材料，具有超强的性能和广阔的应 用前景。在SiC微波及电力电子器件中，密集台阶是静态感应晶体管、结型场效应晶体管等常用的结构，所以如何在微米级线宽的台阶底部制作覆盖面良好的栅金属是实现器件高性能的关键方法。在SiC器件制作中，实现自对准台阶金属良好覆盖的常用方法是采用多步骤工艺在台阶的侧壁上形成二氧化硅(SiO2)的覆盖保护，台阶上下则通过干法刻蚀去除SiO2,然后再采用大面积蒸发Ni金属层，形成台阶上下及侧壁都被蒸发的Ni金属覆盖，使用7000C以上快速退火造成Ni金属与SiC的反应，而Ni金属与SiO2不反应，然后采用专用腐蚀液去除没有反应的侧壁上的Ni金属及用于保护台阶侧壁的SiO2，形成台阶上下的金属完好覆盖。但是这种工艺造成金属选择的单一性及无法只做台阶下金属的问题，而Ni金属与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用树脂层用于制造密集台阶型器件的自对准金属图形的转移方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：一，对半导体材料进行光刻、蒸发金属掩膜层、剥离、干法刻蚀或湿法去除掩膜层工艺，形成密集台阶结构，选用的半导体材料为碳化硅晶片，或碳化硅衬底上生长的一层或者多层碳化硅薄膜的外延片；二，对半导体材料使用酸性溶液清洗，所述的酸性溶液用盐酸与纯水，其盐酸与纯水的重量配比为1：5？20；三，在半导体材料表面上淀积一层金属，金属为镍、钛、铝或铂，金属厚度为30nm～300nm，采用电子束蒸发的方式形成；四，在半导体材料表面上淀积的一层金属，具体是通过涂覆粘附剂HMDS，采用蒸汽喷涂法涂覆将苯并环丁烯或者聚酰亚胺...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈刚，李理，王雯，柏松，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：