薄膜晶体管的制备方法及顶栅极式薄膜晶体管技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管的制备方法及顶栅极式薄膜晶体管，本发明专利技术的薄膜晶体管的制备方法包括步骤：(A)提供一基板；(B)于该基板表面形成一源极电极、一漏极电极、以及一单壁纳米碳管层，该源极电极与该漏极电极相隔一距离配置，且该单壁纳米碳管层配置于该源极电极与该漏极电极之间；(C)于该单壁纳米碳管层的表面形成一栅极氧化层；(D)以氧气或氮气回火处理该栅极氧化层的表面；以及(E)形成一栅极于该栅极氧化层的表面；其中，该步骤(D)中，以氧气或氮气回火处理该栅极氧化层的温度为500℃至600℃。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于ー种薄膜晶体管的制备方法及顶栅极式薄膜晶体管，尤其是ー种使用单壁纳米碳管层作为通道层的薄膜晶体管的制备方法及顶栅极式薄膜晶体管。
技术介绍
自从1993年发现纳米碳管以来，其合成及应用的研究有如雨后春笋般展开。其中，日本东京大学丸山团队率先利用酒精催化化学气相沉积(ACCVD)制备出高纯度单壁纳米碳管。由于其制得的纳米碳管具有电性优良、制作エ艺简易及可以利用黄光光刻技术等优点，得以运用于各种光电元件之中，因此最受到学者重视。另ー方面，随着晶体管的制作エ艺技术发展及尺寸微缩，必须寻找新的材料来取代，以期继续符合未来使用需求。曾有团队研究利用将碳管以分散方式制作出P型单壁纳米碳管网晶体管，其开关比可达106且场效载子移动率可达7cm2/Vs。 大多数纳米碳管晶体管操作时大多为P型特性，这被归咎于纳米碳管暴露在大气之下，会自行与氧气结合所导致，而相关研究中也有利用退火、掺杂钾元素等方法以有效控制晶体管的N、P型操作。此外，H. Dai团队提出了碳管的半径与能隙大小及不同金属与碳管的功函数的调整会促使晶体管的特性改变的论点。IBM研究团队发现纳米碳管与电极的接面对功函数很敏感本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：(A)提供一基板；(B)于该基板表面形成一源极电极、一漏极电极、以及一单壁纳米碳管层，该源极电极与该漏极电极相隔一距离配置，且该单壁纳米碳管层配置于该源极电极与该漏极电极之间；(C)于该单壁纳米碳管层的表面形成一栅极氧化层；(D)以氧气或氮气回火处理该栅极氧化层的表面；以及(E)形成一栅极于该栅极氧化层的表面；其中，该步骤(D)中，以氧气或氮气回火处理该栅极氧化层的温度为500℃至600℃。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：高骐，萧铉桦，郑百胜，
申请(专利权)人：高骐，
类型：发明
国别省市：