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本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法及顶栅极式薄膜晶体管，本发明的薄膜晶体管的制备方法包括步骤：(A)提供一基板；(B)于该基板表面形成一源极电极、一漏极电极、以及一单壁纳米碳管层，该源极电极与该漏极电极相隔一距离配置，且该单壁纳米碳管层配...
该专利属于高骐所有，仅供学习研究参考，未经过高骐授权不得商用。

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