改善岛状光刻胶剥落的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善岛状光刻胶剥落的方法，包括步骤：1)在衬底氧化膜表面涂布负光刻胶，用光刻版进行露光显影；2)对衬底进行刻蚀；3)去除负光刻胶；4)在衬底表面涂布正光刻胶，用同一光刻版进行露光显影。该方法可以提高半导体制造工艺的稳定性和器件的可靠性。在进行常规岛状光刻前，先用同一光刻版进行负胶光刻和反向刻蚀，在岛状区域内刻蚀出一个凹槽，如此，在进行后续的岛状光刻时，部分光刻胶就会嵌入到衬底中，从而增加了光刻胶与衬底的粘附力，使岛状光刻胶在后续的半导体工艺中不易发生剥落。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及ー种。
技术介绍
集成电路版图中经常有岛状(dot pattern)图形,现有的集成电路制造光刻エ艺是直接在衬底I的氧化膜12上涂布正光刻胶，然后通过露光显影エ艺，在表面形成岛状图形。采用这种エ艺形成的岛状光刻胶尺寸小，与衬底的接触面也小，如图I所示，因此粘附性差，容易在后续的エ艺过程(例如，离子注入时晶圆高速旋转产生的离心力，湿法刻蚀时的侧向刻蚀，或者干法刻蚀时等离子体的轰击等)中发生剥落，如图2所示。一旦岛状光刻胶剥落，其掩模作用也就随之丧失了，从而会引起电路失效，造成成品率降低，此外，在ー些 用于衬底引出(body pick up)的电路中，岛状光刻胶的剥落还会引起器件可靠性的问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供ー种，它可以提高半导体制造エ艺的稳定性和器件的可靠性。为解决上述技术问题，本专利技术的，包括以下步骤I)在衬底氧化膜表面涂布负光刻胶，用光刻版进行露光显影；2)对衬底进行刻蚀；3)去除负光刻胶；4)在衬底表面涂布正光刻胶，用光刻版进行露光显影。所述步骤4)中，露光时，焦深设定可向正的方向偏移0. 05 2微本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善岛状光刻胶剥落的方法，包括岛状光刻步骤：在衬底表面涂布正光刻胶，用光刻版进行露光显影；其特征在于，在岛状光刻步骤之前，还包括以下步骤：1)在衬底氧化膜表面涂布负光刻胶，用同一光刻版进行露光显影；2)对衬底进行刻蚀；3)去除负光刻胶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈今楷，邵向荣，邵平，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：