温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种改善岛状光刻胶剥落的方法，包括步骤：1)在衬底氧化膜表面涂布负光刻胶，用光刻版进行露光显影；2)对衬底进行刻蚀；3)去除负光刻胶；4)在衬底表面涂布正光刻胶，用同一光刻版进行露光显影。该方法可以提高半导体制造工艺的稳定性和器...该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种改善岛状光刻胶剥落的方法，包括步骤：1)在衬底氧化膜表面涂布负光刻胶，用光刻版进行露光显影；2)对衬底进行刻蚀；3)去除负光刻胶；4)在衬底表面涂布正光刻胶，用同一光刻版进行露光显影。该方法可以提高半导体制造工艺的稳定性和器...