【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文中所揭示的实施例涉及形成多个晶体管栅极的方法，所述多个晶体管栅极可具有或可不具有至少两种不同功函数。
技术介绍
场效应晶体管是集成电路制作中所使用的一种类型的电子组件。此类场效应晶体管包含在其之间接纳有沟道区域的一对源极/漏极区域。接近所述沟道区域接纳栅极且通过栅极电介质将所述栅极与沟道区域分离。通过将适合电压施加到晶体管的栅极，沟道区域变得导电。因此，在将适合阈值电压施加到所述栅极之后，晶体管从非导通状态切换为导通状态。期望将晶体管的阈值电压保持为小且还期望将晶体管的功率消耗保持为低。栅极的可确定阈值电压的一个重要性质是功函数。正是栅极的功函数连同沟道区域的掺杂水平一起确定场效应晶体管装置的阈值电压。为了将晶体管的阈值电压保持为小且将功率消耗保持为低，期望栅极材料的功函数约等于沟道区域的材料的功函数。通常，并非集成电路的所有晶体管均具有相同构造或材料。因此，应认识到且通常期望将不同晶体管栅极制作为具有至少两种不同功函数。提供不同功函数的一种方式是提供待由不同材料形成的不同栅极电极。举例来说，对于导电多晶硅，使用不同导电性增强掺杂剂及浓度可为不同晶体管提供不...
【技术保护点】
１．一种形成具有至少两种不同功函数的多个晶体管栅极的方法，其包括：在衬底上方形成第一及第二晶体管栅极，所述第一栅极具有第一宽度且所述第二栅极具有第二宽度，所述第一宽度比所述第二宽度窄；在所述衬底上方包含在所述第一及第二栅极上方沉积材料；在蚀刻室内，从所述第一及第二栅极两者上方蚀刻所述材料以暴露所述第一栅极的导电材料且减小接纳于所述第二栅极上方的所述材料的厚度但仍使所述第二栅极被所述材料覆盖；及在所述蚀刻之后原位地在所述蚀刻室内，使所述衬底在至少３００℃的衬底温度下经受包括金属的等离子以将所述金属扩散到所述第一栅极中，从而相比于所述第二栅极的功函数修改所述第一栅极的功函数。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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