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本发明涉及一种形成具有至少两种不同功函数的多个晶体管栅极的方法，其包含在衬底上方形成具有不同宽度的第一及第二晶体管栅极，其中第一宽度比第二宽度窄。在所述衬底上方包含在所述第一及第二栅极上方沉积材料。在蚀刻室内，从所述第一及第二栅极两者上方蚀...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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