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本发明是用树脂层制造密集台阶型器件自对准金属图形的转移方法,其工艺包括:一、制成密集台阶结构;二、使用酸性溶液清洗经过部分工艺的半导体材料;三、在半导体材料上形成一层金属膜;四、在半导体材料上涂覆粘附剂、树脂层;五、树脂层进行加热固化;六、...该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。
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本发明是用树脂层制造密集台阶型器件自对准金属图形的转移方法,其工艺包括:一、制成密集台阶结构;二、使用酸性溶液清洗经过部分工艺的半导体材料;三、在半导体材料上形成一层金属膜;四、在半导体材料上涂覆粘附剂、树脂层;五、树脂层进行加热固化;六、...