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本发明涉及用于微波晶体再生长的低温方法和设备。本发明描述半导体装置和用于制造所述装置的方法。所述半导体装置含有通过以下操作制成的外延层：提供含有具有单晶结构的上表面的半导体衬底；在所述衬底的所述上表面上形成一层，其中所述层包括大体上与所述半...
该专利属于飞兆半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞兆半导体公司授权不得商用。

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