【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及通过使用被图案化的衬底来消除晶格失配和热失配层的外延生长中的穿透位错、层破裂和晶片弯曲的结构和方法。由于材料的选择和层的厚度几乎是没有限制的，因此本专利技术还可以应用于需要厚外延层以便正确起作用的设备的制造，例如多结太阳能电池、发光二极管、半导体激光器、辐射成像检测器和热电设备。本专利技术对于需要较小厚度的失配外延层的微电子、光电子和光子电路的制造也是可行的。
技术介绍
通过把新的光和电功能性引入到CMOS平台来扩充摩尔定律的尝试、高效固态发光的实现、聚光光伏电池的制造、成像检测器的制造(尤其是对于高能量电磁和粒子辐射)、以及热电设备的制造都需要(以ー种形式或者另ー种形式)在彼此之上集成具有不同晶格參数的晶体材料。这基本上可以按两种不同的途径发生通过晶片键合或者通过“异质外延生长”。本申请属于组合材料的第二种方法，尤其涉及其晶格參数相差多于百分之零点几并且热膨胀系数可能有很大不同的材料。与晶格失配有关的问题当两种失配的材料在彼此上面外延生长时，其晶格參数的不同(错配)导致机械应力，当超过某个限制时，所述应カ通过弹性弛豫或者塑性弛豫被释放。在正常情...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：汉斯·冯凯内尔，莱奥尼达·米利奥，
申请(专利权)人：汉斯·冯凯内尔，莱奥尼达·米利奥，
类型：
国别省市：
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