一种金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种金属-多层绝缘体-金属电容器（MOM）的制作方法，其中：在衬底上沉积第一低K值介质层；采用沉积和含氧气体处理循环方式，在第一低K值介质层上沉积氮化硅层，其包括MOM区域的第一氮化硅层和非MOM区域的第二氮化硅层；刻蚀第二氮化硅层；在非MOM区域的上方沉积第二低K值介质层；光刻第一氮化硅层，形成第一金属槽，并且减薄第一氮化硅层；采用沉积和含氧气体处理循环方式，在第一氮化硅层表面沉积氧化硅层，并且刻蚀水平方向上的氧化硅，形成氧化硅-氮化硅-氧化硅结构；刻蚀第二低K值介质层，形成第二金属槽；向第一金属槽和第二金属槽进行金属填充工艺。本发明专利技术改善了电容器的各电特性并提高了电学均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子领域，尤其涉及ー种金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法。
技术介绍
电容器是集成电路中的重要组成单元，广泛运用于存储器，微波，射频，智能卡，高压和滤波等芯片中。在芯片中广为采用的电容器构造是平行于硅片衬底的金属-绝缘体-金属(MIM)。其中金属是制作エ艺易与金属互连エ艺相兼容的铜、铝等，绝缘体则是氮化硅、氧化硅等高介电常数(k)的电介质材料。改进高k电介质材料的性能是提高电容器性能的主要方法之一。等离子体增强型化学气相沉积方法(PECVD, Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)因其沉积温度低而被广泛用于金属互连エ艺中的薄膜沉积。高k值绝缘体氮 化硅可以利用PECVD方法通过硅烷和氨气在等离子环境下反应生成。高k值绝缘体氧化硅可以利用PECVD方法通过硅烷和一氧化ニ氮在等离子环境下反应生成。氮化硅薄膜中的硅氮键(Si-N)的稳定性弱于氧化硅薄膜中的硅氧键(Si-Ο)。导致在高电压下，氮化硅薄膜电容器的漏电流较大。并且，随着芯片尺寸的減少，以及性能对大电容的需求，如何在有限的面积下获得高密度的电容成为ー个非常有吸引力的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属？多层绝缘体？金属电容器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：？？提供一衬底；？？在所述衬底上沉积一层第一低介电常数介质层，所述第一低介电常数介质层包括金属？氧化物？金属制作区域和非金属？氧化物？金属制作区域；？？采用沉积步骤和含氧气体处理步骤循环进行的方式，在所述第一低介电常数介质层上沉积一层氮化硅层，所述氮化硅层包括金属？氧化物？金属区域的第一氮化硅层和非金属？氧化物？金属区域的第二氮化硅层；？？刻蚀去除所述第二氮化硅层；？？在所述非金属？氧化物？金属区域的上方再沉积一层第二低介电常数介质层；？？在所述第一氮化硅层上进行光刻图案化工艺，在所述第一氮化硅层中形成第一金属槽，并且对所述...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：毛智彪，胡友存，徐强，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：