温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种金属-多层绝缘体-金属电容器（MOM）的制作方法，其中：在衬底上沉积第一低K值介质层；采用沉积和含氧气体处理循环方式，在第一低K值介质层上沉积氮化硅层，其包括MOM区域的第一氮化硅层和非MOM区域的第二氮化硅层；刻蚀第二氮化...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。