金属-绝缘体-金属电容器结构制造技术

本文描述了能够提供低压电容器和高压电容器二者的电容器结构。在一个实施例中，电容器结构包括低压电容器和高压电容器。该低压电容器包括从第一金属层形成的第一电极、从第二金属层形成的第二电极、从第三金属层形成的第三电极、在第一与第二电极之间的第一介电层、以及在第二与第三电极之间的第二介电层。该高压电容器包括从第一金属层形成的第四电极、从第三金属层形成的第五电极、以及在第四与第五电极之间的第三介电层，其中，该第三介电层比第一介电层或者第二介电层厚。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】金属-绝缘体-金属电容器结构背景
本公开的各方面一般涉及电容器，并且尤其涉及金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构。
技术介绍
解耦电容器通常被使用在芯片中以滤除电源上的噪声，其中解耦电容器被耦合在电源的两个电源轨(例如，Vdd与Vss)之间。典型情况下，解耦电容器是使用包括两个金属层与部署在这两个金属层之间的介电层的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器来实现的。
技术实现思路
以下给出对一个或多个实施例的简化概述以提供对此类实施例的基本理解。此概述不是所有构想到的实施例的详尽综览，并且既非旨在标识所有实施例的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有实施例的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或更多个实施例的一些概念以作为稍后给出的更加具体的说明之序。根据一方面，提供了一种电容器结构。该电容器结构包括低压电容器和高压电容器。该低压电容器包括从第一金属层形成的第一电极、从第二金属层形成的第二电极、从第三金属层形成的第三电极、在第一与第二电极之间的第一介电层、以及在第二与第三电极之间的第二介电层。该高压电容器包括从第一金属层形成的第四电极、从第三金属层形成的第五电极、以及在第四与第五电极之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器结构，包括：低压电容器，其中所述低压电容器包括：从第一金属层形成的第一电极；从第二金属层形成的第二电极；从第三金属层形成的第三电极；在所述第一与第二电极之间的第一介电层；以及在所述第二与第三电极之间的第二介电层；以及高压电容器，其中所述高压电容器包括：从所述第一金属层形成的第四电极；从所述第三金属层形成的第五电极；以及在所述第四与第五电极之间的第三介电层；其中所述第三介电层比所述第一介电层或者所述第二介电层中的任一者都厚。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.06.13 US 13/917,5491.一种电容器结构，包括：用于衰减第一电源轨上的噪声的低压电容器，其中所述低压电容器包括：从第一金属层形成的第一电极；从第二金属层形成的第二电极；从第三金属层形成的第三电极；在所述第一与第二电极之间的第一介电层；以及在所述第二与第三电极之间的第二介电层；其中所述第二电极在所述第一和第三电极之间；以及用于衰减第二电源轨上的噪声的高压电容器，其中所述高压电容器包括：从所述第一金属层形成的第四电极；从所述第三金属层形成的第五电极；以及在所述第四与第五电极之间的第三介电层；其中所述第三介电层比所述第一介电层或者所述第二介电层中的任一者都厚，所述第二电源轨耦合到比所述第一电源轨高的电源电压并且所述第一和第三电极被耦合到第一电源轨，并且所述第二电极被耦合到第三电源轨。2.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，所述电容器结构被部署在第一互连金属与第二互连金属之间的绝缘体内，并且所述绝缘体具有低于第一、第二和第三介电层中的每一者的介电常数k。3.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，所述第四电极被耦合到第三电源轨，并且所述第五电极被耦合到第四电源轨。4.如权利要求3所述的电容器结构，其特征在于，所述第三和第四电源轨中的一者具有比所述第一和第二电源轨中的任一者高的电源电压。5.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，所述低压电容器被耦合到第一晶体管，并且所述高压电容器被耦合到第二晶体管，所述第二晶体管具有比所述第一晶体管厚的栅极氧化物。6.一种电容器结构，包括：用于衰减第一电源轨上的噪声的低压电容器，其中所述低压电容器包括：从第一金属层形成的第一电极；从第二金属层形成的第二电极；从第三金属层形成的第三电极；在所述第一与第二电极之间的第一介电层；以及在所述第二与第三电极之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·亚库什卡斯，V·斯里尼瓦斯，R·W·C·金，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US