金属-绝缘体-金属(MIM)电容器和形成方法技术

本发明专利技术涉及金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器和形成方法。在一些实施例中，MIM电容器具有布置在半导体衬底上方的电容器底部金属(CBM)电极。MIM电容器具有设置在CBM电极上方的高k电介质和布置在高k介电层上方的电容器顶部金属(CTM)电极。MIM电容器具有垂直地设置在高k介电层上方并且与CTM电极横向分隔开的伪结构。伪结构包括具有与CTM电极相同的材料的导电体。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及金属-绝缘体-金属(MIM)电容器和形成方法。在一些实施例中，MIM电容器具有布置在半导体衬底上方的电容器底部金属(CBM)电极。MIM电容器具有设置在CBM电极上方的高k电介质和布置在高k介电层上方的电容器顶部金属(CTM)电极。MIM电容器具有垂直地设置在高k介电层上方并且与CTM电极横向分隔开的伪结构。伪结构包括具有与CTM电极相同的材料的导电体。【专利说明】金属-绝缘体-金属（MIM)电容器和形成方法
本专利技术设及金属-绝缘体-金属（MIM)电容器和形成方法。
技术介绍
电容器是一种用于在电场内储存能量的无源双端子电器件。电容器包含通过介电 层分隔开的至少两个电极。电容器的电容与两个电极之间的面积成正比，并且与两个电极 之间的距离（例如，介电层的厚度）成反比。因此，可W通过增加电极的面积，和/或通过 减小它们之间的距离来增加电容器的电容。 金属-绝缘体-金属（MIM)电容器是一种常用于集成电路（IC)中的电容器。MIM 电容器通常包括布置在电极之间的介电材料，电极包括设置在后段制程度E0L)金属堆叠 件内的金属结构。【专利
技术实现思路
】 为了解本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，包括：电容器底部金属(CBM)电极，设置在半导体衬底上方；高k介电层，设置在所述CBM电极上方；电容器顶部金属(CTM)电极，设置在所述高k介电层上方；以及伪结构，垂直地设置在所述高k介电层上方并且与所述CTM电极横向分隔开，其中，所述伪结构包括具有与所述CTM电极相同的材料的导电体。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢静佩，徐晨祐，刘世昌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71