具有最小顶板寄生电容的可堆叠高密度金属-氧化物-金属电容器制造技术

公开了一种系统，该系统包括在衬底上沿着第一轴被堆叠的第一多个导体和第二多个导体(M2…M6)。第一轴垂直于衬底位于其上的平面。在第一多个导体和第二多个导体中，每个导体通过沿着第一轴布置的一个或多个第一通孔(V23…V56)连接至相邻导体。第一多个导体和第二多个导体沿着垂直于第一轴并且平行于衬底位于其上的平面的第二轴被平行布置。第一多个导体分别位于垂直于第一轴并且平行于衬底位于其上的平面的多个平面上。第二多个导体分别位于多个平面上。沿着多个平面在第一多个导体与第二多个导体之间形成电容。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】具有最小顶板寄生电容的可堆叠高密度金属-氧化物-金属电容器相关串请的交叉引用本申请要求于2013年11月21日提交的美国专利技术专利申请第14/086，154号的优先权以及于2012年11月28日提交的美国临时专利申请第61/730，716号的权益。以上引用的这些申请的全部公开内容通过引用合并到本文中。
本公开内容总体上涉及集成电路，并且更具体地涉及具有最小顶板寄生电容的可堆叠高密度金属-氧化物-金属(MOM)电容器。
技术介绍
很多电路包括具有多个电容器的电容器阵列。电容器阵列中的电容器通常具有大的几何尺寸，以将寄生电容的百分比保持在设计规范以下(通常远低于固有电容值)或者以增加匹配性能。为了构建具有很多电容器的电容器阵列，需要大的电容值和阵列面积，这增加了成本。
技术实现思路
一种系统包括第一多个导体和第二多个导体。第一多个导体在集成电路的衬底上沿着第一轴被堆叠。第一轴垂直于衬底位于其上的平面。第一多个导体中的每个导体通过沿着第一轴布置的一个或多个第一通孔连接至第一多个导体中的相邻导体。第二多个导体在集成电路的衬底上沿着第一轴被堆叠。第二多个导体中的每个导体通过沿着第一轴布置的一个或多个第二通孔连接至第二多个导体中的相邻导体。第一多个导体和第二多个导体沿着第二轴被平行布置，第二轴(i)垂直于第一轴并且(ii)平行于衬底位于其上的平面。第一多个导体分别位于多个平面上，该多个平面(i)垂直于第一轴并且(ii)平行于衬底位于其上的平面。第二多个导体分别位于多个平面上。沿着多个平面在第一多个导体与第二多个导体之间形成电容。在另一特征中，沿着多个平面在第一通孔与第二通孔之间形成电容。在另一特征中，第一多个导体中的导体的数目等于第二多个导体中的导体的数目。在另一特征中，第二多个导体中的导体的数目大于第一多个导体中的导体的数目。在其它特征中，第一多个导体中的导体和第二多个导体中的导体具有预定尺度。第一多个导体中的导体和第二多个导体中的导体以第一预定距离被分离。第一多个导体和第二多个导体以第二预定距离被分离。在第一多个导体与第二多个导体之间的电容值取决于以下各项中的一项或多项:(i)预定尺度，(?)第一预定距离，以及(iii)第二预定距离。在另一特征中，该系统还包括在集成电路的衬底上沿着第一轴被堆叠的第三多个导体。第二多个导体沿着第二轴被布置成平行于第一多个导体和第三多个导体并且在第一多个导体与第三多个导体之间。第三多个导体中的每个导体通过沿着第一轴布置的一个或多个第三通孔连接至第三多个导体中的相邻导体。第三多个导体分别位于多个平面上。沿着多个平面在第二多个导体与第三多个导体之间形成电容。在其它特征中，第一多个导体中的导体的数目等于第三多个导体中的导体的数目。第二多个导体中的导体的数目大于第一多个导体中的导体的数目。在其它特征中，第一多个导体中的导体、第二多个导体中的导体和第三多个导体中的导体具有预定尺度。第一多个导体中的导体、第二多个导体中的导体和第三多个导体中的导体以第一预定距离被分离。第一多个导体、第二多个导体和第三多个导体以第二预定距离被分离。在第一多个导体与第二多个导体之间的电容值以及在第二多个导体与第三多个导体之间的电容值取决于以下各项中的一项或多项:(i)预定尺度，(ii)第一预定距离，以及(iii)第二预定距离。在另一特征中，沿着多个平面在第二通孔与第三通孔之间形成电容。在其它特征中，一种系统包括导体的第一集合、导体的第二集合和导体的第三集合。第一集合、第二集合和第三集合中的每个集合中的导体在集成电路的衬底上沿着第一轴被堆叠。第一轴垂直于衬底位于其上的平面。在第一集合、第二集合和第三集合中的每个集合中，每个导体通过沿着第一轴的一个或多个通孔连接至相邻导体。导体的第一集合、第二集合和第三集合沿着第二轴被平行布置，第二轴(i)垂直于第一轴并且(ii)平行于衬底位于其上的平面。导体的第二集合被布置在导体的第一集合与导体的第三集合之间。导体的第一集合分别位于多个平面上，该多个平面(i)垂直于第一轴并且(ii)平行于衬底位于其上的平面。导体的第二集合分别位于多个平面上。导体的第三集合分别位于多个平面上。在其它特征中，沿着多个平面在导体的第一集合与导体的第二集合之间形成电容。沿着多个平面在导体的第二集合与导体的第三集合之间形成电容。在其它特征中，导体的第一集合中的导体的数目等于导体的第三集合中的导体的数目。导体的第二集合中的导体的数目小于导体的第一集合中的导体的数目。在另一特征中，导体的第一集合中的第一导体通过沿着第二轴的连接而连接至导体的第三集合中的第一导体。在其它特征中，该系统还包括导体的第四集合和导体的第五集合。第四集合和第五集合中的每个集合中的导体在集成电路的衬底上沿着第一轴被堆叠。在第四集合和第五集合中的每个集合中，每个导体通过沿着第一轴的一个或多个通孔连接至相邻导体。导体的第四集合和第五集合沿着第二轴被平行布置。导体的第四集合分别位于多个平面上。导体的第五集合分别位于多个平面上。导体的第四集合被布置在导体的第三集合与导体的第五集合之间。在其它特征中，沿着多个平面在导体的第一集合与导体的第二集合之间形成电容。沿着多个平面在导体的第二集合与导体的第三集合之间形成电容。沿着多个平面在导体的第三集合与导体的第四集合之间形成电容。沿着多个平面在导体的第四集合与导体的第五集合之间形成电容。在其它特征中，导体的第一集合中的导体的数目等于导体的第三集合中的导体的数目，并且等于导体的第五集合中的导体的数目。导体的第二集合中的导体的数目等于导体的第四集合中的导体的数目，并且小于导体的第一集合中的导体的数目。在另一特征中，导体的第一集合中的第一导体通过沿着第二轴的连接而连接至导体的第三集合中的第一导体以及导体的第五集合中的第一导体。在其它特征中，该系统还包括导体的第六集合、导体的第七集合和导体的第八集合。第六集合、第七集合和第八集合中的每个集合中的导体在集成电路的衬底上沿着第一轴被堆叠。在第六集合、第七集合和第八集合中的每个集合中，每个导体通过沿着第一轴的一个或多个通孔连接至相邻导体。导体的第六集合、第七集合和第八集合沿着第二轴被平行布置。导体的第六集合沿着垂直于第一轴和第二轴的第三轴与导体的第一集合相邻。导体的第七集合沿着第三轴与导体的第二集合相邻。导体的第八集合沿着第三轴与导体的第三集合相邻。导体的第七集合被布置在导体的第六集合与导体的第八集合之间。导体的第六集合、第七集合和第八集合分别位于多个平面上。在其它特征中，沿着多个平面在导体的第一集合与导体的第二集合之间形成电容。沿着多个平面在导体的第二集合与导体的第三集合之间形成电容。沿着多个平面在导体的第三集合与导体的第四集合之间形成电容。沿着多个平面在导体的第四集合与导体的第五集合之间形成电容。沿着多个平面在导体的第六集合与导体的第七集合之间形成电容。沿着多个平面在导体的第七集合与导体的第八集合之间形成电容。在另一特征中，导体的第六集合中的第一导体通过沿着第二轴的连接而连接至导体的第八集合中的第一导体。在另一特征中，导体的第七集合中的除了第一导体和最末导体之外的导体沿着第三轴连接至导体的第二集合中的除了第一导体和最末导体之外的导体。在其它特本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种系统，包括：在集成电路的衬底上沿着第一轴被堆叠的第一多个导体，其中所述第一轴垂直于所述衬底位于其上的平面，其中所述第一多个导体中的每个导体通过沿着所述第一轴布置的一个或多个第一通孔连接至所述第一多个导体中的相邻导体；以及在所述集成电路的所述衬底上沿着所述第一轴被堆叠的第二多个导体，其中所述第二多个导体中的每个导体通过沿着所述第一轴布置的一个或多个第二通孔连接至所述第二多个导体中的相邻导体；其中所述第一多个导体和所述第二多个导体沿着第二轴被平行布置，所述第二轴(i)垂直于所述第一轴并且(ii)平行于所述衬底位于其上的所述平面；其中所述第一多个导体分别位于多个平面上，所述多个平面(i)垂直于所述第一轴并且(ii)平行于所述衬底位于其上的所述平面；其中所述第二多个导体分别位于所述多个平面上；并且其中沿着所述多个平面在所述第一多个导体与所述第二多个导体之间形成电容。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：林黄生，王晓悦，
申请(专利权)人：马维尔国际贸易有限公司，
类型：发明
国别省市：巴巴多斯;BB