处理基板的设备和排放超临界流体的方法技术

本发明专利技术提供一种处理基板的设备和排放超临界流体的方法，尤其提供一种使用超临界流体来处理基板的设备和使用所述设备排放超临界流体的方法。所述处理基板的设备包括：提供超临界流体的容器；排出管线，所述超临界流体通过所述排出管线从所述容器排放出；和防冻单元，所述防冻单元设置在所示排出管线中，用来防止所述超临界流体冻结。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其涉及使用超临界流体来处理基板的设备和使用所述设备排放超临界流体的方法。
技术介绍
半导体器件通过包括光刻エ艺的各种エ艺制成，光刻エ艺用于在诸如硅片等的基板上形成电路图案。当制造半导体器件时，可以产生各种外来物质，诸如微粒、有机污染物、金属杂质等等。外来物质可导致基板缺陷而对半导体器件的产量直接造成不良的影响。由此，在半导体制造エ艺中可能必需包括用于移除杂质的清洗エ艺。一般来说，在典型的清洗エ艺中，余留在基板上的外来物质用洗涤剂去除，然后使 用去离子水(DI-水)清洗基板，使用异丙醇(IPA)干燥清洗后的基板。然而，在半导体器件具有精细的电路图案的情况中，干燥エ艺可具有低效率。另外，由于电路图案的损伤，即在干燥エ艺中经常发生的图案皱缩(collapse)，干燥エ艺不适合于具有约30nm或更小的线宽的半导体器件。由此，为解决上述的局限性，关于使用超临界流体来干燥基板的技术方面的研究正在积极地进行。
技术实现思路
本专利技术提供一种，在超临界流体被排放时，所述设备防止所述超临界流体冻结。本专利技术还提供ー种，在超临界流体被排放时，所述设备移除产生的噪声。本专利技术的特征不限于前述内容，本领域技术人员根据本说明书和附图将清楚地理解本文未描述的其它特征。本专利技术提供一种。本专利技术实施例提供处理基板的设备，所述设备包括容器，所述容器用于提供超临界流体；排出管线(vent line)，所述超临界流体通过所述排出管线从所述容器排放；和防冻单元，所述防冻单元设置在所示排出管线中，以防止所述超临界流体被冻结。在一些实施例中，所述防冻单元可包括缓冲构件，所述缓冲构件提供防止所述超临界流体的压カ突然下将的缓冲空间。在其它实施例中，所述缓冲构件可包括壳体，所述壳体提供所述缓冲空间；流入管，所述超临界流体通过所述流入管引入到所述缓冲空间中；排放管(discharge tube),所述超临界流体通过所述排放管从所述缓冲空间排放；和至少ー个隔离壁，所述至少ー个隔离壁设置在所述壳体内，以具有垂直于长度方向的平面以将所述缓冲空间隔离成多个空间，在所述多个空间中所述超临界流体的压カ逐步下降。仍然在其它实施例中，在所述至少一个隔离壁中可限定排出孔，且当从壳体的长度方向查看时，被在彼此相邻的隔离壁中限定的的排出孔可被限定在彼此间不同的位置上。还在其它实施例中，临近流入管的隔离壁的排出孔可被限定在一位置，当从壳体的长度方向查看时，该位置与流入管所处位置不同，且隔离壁的临近排放管的排出孔可被限定在一位置，当从壳体长度方向查看时，该位置与排放管所处位置不同。 在其它实施例中，防冻单元可进ー步包括加热所述超临界流体的加热器。在进ー步实施例中，所述加热器可以设置在在所述壳体内。在进ー步实施例中，所述缓冲器构件可进ー步包括声音吸收构件，所述声音吸收构件设置在所述壳体内用来吸收所述超临界流体所产生的噪声。还在进一步实施例中，所述声音吸收构件可具有金属丝网结构，所述金属丝网结构中断超临界流体的流动以防止所述超临界流体的压カ突然下降。在进ー步实施例中，所述流入管壳具有连接到排出管线的一端和沿壳体长度方向插入到壳体中的另一端，以及排放所述超临界流体的流入孔可限定在ー个部分中，在该部分中，所述流入管以垂直于壳体长度方向的方向插入到壳体中。在进ー步实施例中，所述缓冲构件可包括反向压カ调节器，所述反向压カ调节器设置在所示排放管中以不断維持所述缓冲空间中的压力。在进ー步实施例中，所述防冻单元可包括设置在所示排出管线中的加热器。还在更进ー步的实施例中，所述容器可包括处理室，在所述处理室内使用超临界流体来执行干燥エ艺。仍在更进ー步的实施例中，所述容器可包括用来供应所述超临界流体至处理室内的供水槽，在所述处理室内使用超临界流体来执行干燥エ艺。在进ー步实施例中，可提供多个所述防冻单元，且所述多个防冻単元可彼此串联连接。在本专利技术的其它实施例中，从容器内排放超临界流体的方法包括在连接至所述容器以排放所述超临界流体的排出管线中提供缓冲空间，以防止所述超临界流体的压カ突然下降，从而防止所述超临界流体冻结。在一些实施例中，可在排放所述超临界流体期间加热所述超临界流体。在其他实施例中，可对经过所述缓冲空间的所述超临界流体提供声音吸收构件以吸收所述超临界流体产生的噪声。仍然在其它实施例中，所述超临界流体可从处理室排放，在所述处置室中使用超临界流体来执行干燥エ艺。还在其它实施例中，所述超临界流体可从供应超临界流体至处理室的供水槽排放出，在所述处理室内使用超临界流体来执行干燥エ艺。仍然在本专利技术的其它实施例中，处理基板的设备包括处理室，在所述处理室内使用提供作为超临界流体的流体来执行干燥エ艺；存储所述流体的存储槽；供水槽，所述供水槽接收来自于所述存储槽的所述流体以产生所述超临界流体，并将所述超临界流体提供至所述处理室内；排出管线，所述排出管线连接到至少ー个所述处理室和所述供水槽以排放所述超临界流体；和防冻单元，防冻单元设置在所述排出管线中以防止所述超临界流体被冻结。在一些实施例中，所述防冻单元可包括缓冲构件，所述缓冲构件提供用来防止所述超临界流体的压カ突然下降的缓冲空间。在其它实施例中，所述缓冲构件可包括声音吸收构件，所述声音吸收构件吸收所述超临界流体所产生的噪声的声音吸收构件。仍然在其它实施例中，所述防冻单元可包括用来加热所述超临界流体的加热器。附图说明附图被包括以提供对于本专利技术的进ー步理解，并且被包括在本说明书中并构成本说明书的一部分。附示了本专利技术的示例性实施例并且与说明书一起用以说明本专利技术的原通。在附图中图I是根据本专利技术的实施例的处理基板的设备的平面图； 图2是图I的第一处理室的截面图；图3是图示ニ氧化碳的相变的图；图4是图I的第二处理室的截面图；图5是图示图I的第二处理室中的超临界流体排放路径的图；图6是图5的防冻单元的截面图；图7是图示图6的缓冲空间中的超临界流体前进路径的图；图8到10分别是图6中的第一隔离壁、第二隔离壁和第三隔离壁的图；图11是图6的流入管的透视图；图12是图6的声音吸收构件的图；图13和14是图示图6的加热器的布置的图；图15和16是图示图5的防冻单元的布置的图；图17是图示超临界流体的循环路径的图；图18是图示图17的供水槽中的超临界流体排放路径的图；图19是根据本专利技术实施例的图17的再循环单元的图；图20是根据本专利技术另ー实施例的图17的再循环单元4000的图；图21是图19的分离(separation)模块4100的截面图；图22是图19的柱模块4200的图；图23是图示根据本专利技术实施例的处理基板的エ艺的流程图；图24是图示根据本专利技术实施例的第一エ艺的流程图；图25是图示根据本专利技术实施例的第二エ艺的流程图；图26是图示超临界流体的供应和排放的图；图27是图示根据本专利技术实施例的再循环超临界流体的エ艺的流程图；图28是图示分离单元的效率的图；图29是图示分离单元的效率的表；以及图30是图示根据本专利技术实施例的排放超临界流体的エ艺的流程图。具体实施例方式提供了本专利技术的优选实施方式，以使本公开透彻并且完整，并且充分地将本专利技术的范围传达给本领域的技术人员。然而，本专利技术可以不同的形式实施并且其构造不应局限于本文阐述的实施方式。由此，对于本领域技术人员显而易见的是，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理基板的设备，所述设备包括：容器，所述容器用于提供超临界流体；排出管线，所述超临界流体通过所述排出管线从所述容器排放；和防冻单元，所述防冻单元设置在所述排出管线中，以防止所述超临界流体冻结。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔龙贤，金基峰，金禹永，朴正善，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：