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用于产生晶格匹配、晶格失配和热失配的半导体材料的活性层堆叠的结构和方法，通过在无掩膜工艺中使用到升高的衬底区域上的外延生长，具有低的穿透位错密度、没有层破裂以及最小化晶片弯曲。...
该专利属于汉斯·冯凯内尔;莱奥尼达·米利奥所有，仅供学习研究参考，未经过汉斯·冯凯内尔;莱奥尼达·米利奥授权不得商用。

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