外延硅晶片及其制造方法、以及贴合SOI晶片及其制造方法技术

本发明专利技术的外延硅晶片，是使外延硅层气相生长在单晶硅基板的主表面上而成的外延硅晶片，所述外延硅晶片的特征在于：单晶硅基板的主表面，相对于[100]轴，自(100)面向[011]方向或[0-1-1]方向只倾斜角度θ，并向[01-1]方向或[0-11]方向只倾斜角度φ，θ及φ不足10＇，外延硅层的掺杂剂浓度为1×1019/cm3以上。由此，提供一种外延晶片及其制造方法、以及使用该外延硅晶片而成的贴合SOI晶片及其制造方法，所述外延晶片是在单晶硅基板的主表面上，形成有掺杂剂浓度为1×1019/cm3以上的外延层，且外延层表面的条纹状凹凸得以被抑制。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在单晶硅基板的主表面上形成有外延硅层的外延硅晶片及其制造方法，以及一种贴合SOI晶片及其制造方法。
技术介绍
作为半导体基板使用的单晶娃基板,是使用例如柴氏法(Czochralski method,CZ法)对提拉而成的单晶硅棒，施加切片、倒角(去角取面)、研磨、蚀刻及镜面抛光等操作后制成。 并且，为了提高该单晶硅基板的表面部分的结晶品质，通过在高温条件下向单晶娃基板的主表面供应娃原料，使外延娃层气相生长的方法也被使用。已知在此种外延硅晶片(以下，有时仅记载为外延晶片。)的制造方法中，根据不同的条件，会在表面上形成凹凸，而使元件特性变差。例如，在专利文献I中，提出一种将进行外延生长的单晶硅基板的主表面的结晶学的台阶密度(stepdensity)抑制在约101°个/cm2以下的技术,作为预防这种凹凸的方法。并且，在专利文献2中，提出有一种通过对单晶硅基板表面规定晶轴的角度范围，从而减少被称为雾影(haze)的凹凸的方法。并且，在专利文献3中，提出有一种技术，所述技术是在存在称为结晶起因的微粒(Crystal Originated Particle, COP)的缺陷的单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤正弘，冈哲史，小林德弘，石塚徹，能登宣彦，
申请(专利权)人：信越半导体股份有限公司，
类型：
国别省市：