【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种简单制备有序V形纳米硅孔阵列的方法，包括如下步骤：步骤1，在硅衬底上沉积二氧化硅掩膜层；步骤2，在所述二氧化硅掩膜层之上旋涂光刻胶，制备周期性纳米光刻胶点阵图形；步骤3，采用干法刻蚀技术将该光刻胶点阵图形转移至二氧化硅掩膜层，同时在刻蚀过后的硅层上留下可充当刻蚀掩膜作用的氟碳基有机聚合物层；步骤4，将步骤3得到的衬底放入腐蚀液进行腐蚀，得到有序V形纳米硅孔阵列衬底；步骤5，利用氢氟酸溶液去除衬底上残留的二氧化硅，采用干法刻蚀技术去除氟碳基有机聚合物层，得到清洁的有序V形纳米硅孔阵列衬底。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：戴隆贵，丁芃，陈弘，贾海强，王文新，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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